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大量优势库存

DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大内存持续供货短缺，创下史上罕见同缺记录。 其中DRAM和NAND内存，更写下史上最长涨势。

内存业界表示，2008及2015年都出现过DRAM大涨，但多是因跌深或供货商发生爆炸意外所造成的供需失衡，且DRAM和NAND Flash产能会排挤，很少看到两大内存同涨。

这次DRAM和NAND内存两大内存缺货超乎预期且价格上涨，主要来自数据中心、移动设备及计算机三大领域应用需求强，前三大厂包括三星、SK海力士和美光等也未增建新厂，造成供货紧缩，DRAM与NAND同时大涨，涨这么久，已写下史上最长纪录。

除DRAM、NAND Flash外，NOR Flash也因美国二大供货商淡出，加上OLED面板必须导入作为储存保持OLED面板颜色饱和度参数，以及物联网及车用半导体等新应用大增，市场供应到明年都处于缺货。