STP2NK60Z TO220
日期:2017-9-22【封装】: TO220
【品牌】: ST
【包装】: 1000
【品质】:百分百全新原厂原装正品
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FET 类型 | N 沟道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 1.4A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50μA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 170pF @ 25V |
Vgs(最大值) | ±30V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 45W(Tc) |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 8 欧姆 @ 700mA,10V |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
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