STB60NF06T4 TO-263 ST
日期：2017-10-25【封装】: TO-263
【品牌】: ST
【包装】: 1000
【品质】:百分百全新原厂原装正品
STB60NF06T4 热卖图片：
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STB60NF06T4 参数规格PDF:
| FET 类型 | N 沟道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（Metal Oxide） |
| 漏源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 60A（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 16 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 66nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 1810pF @ 25V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） |
| 工作温度 | -65°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3 |
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