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（高速高增益雪崩二极管）

日期：2018-1-22~~标签：类别：会员资讯~~ 阅读：54 （来源：互联网）

公司:: 商斯达(香港深圳北京上海西安)有限公司

联系人:: 销售部(香港深圳北京上海西安成都武汉等设分公司特价连锁经营）

手机:: 13823676822微信同号

电话:: 0755-83376489 83778810 83600718

传真:: 0755-83376182

QQ:: 583757894 1295084882

地址:: 深圳市福田福华路鸿图大厦1602室、2005-2006室;:上海市北京东路668号上海賽格电子市场 : 西安高新开发区20所(导航技术研究所)

摘要：（高速高增益雪崩二极管）

APD雪崩二极管选型资料

一、系列8（高速高增益雪崩二极管）

　

型号		受光面积		响应波长		实物
芯片	封装	尺寸 mm	面积 mm2	波峰 nm	响应波段nm	实物
AD230-8	TO52S1	0.23	0.042	800	400-1100	1
AD230-8	TO52S3	0.23	0.042	800	400-1100	2
AD500-8	TO52S1	0.5	0.196	800	400-1100	3
AD500-8	TO52S3	0.5	0.196	800	400-1100	4
AD800-8	TO5i	0.8	0.5	800	400-1100	5
AD1100-8	TO5i	1.13	1	800	400-1100	6
AD1900-8	TO5i	1.95	3	800	400-1100	7
AD2500-8	TO5i	2.52	5	800	400-1100	8
AD100-8	TO52S1	0.1	0.00785	800	400-1100	9

　

二、系列9（近红外增强雪崩二极管）

型号		受光面积		响应波长		实物
芯片	封装	尺寸 mm	面积 mm2	波峰 nm	响应波段nm	实物
AD230-9	TO52S1	0.23	0.042	880	400-1100	1
AD230-9	TO52S3	0.23	0.042	880	400-1100	2
AD500-9	TO52S1	0.5	0.196	880	400-1100	3
AD500-9	TO52S3	0.5	0.196	880	400-1100	4
AD800-9	TO5i	0.8	0.5	880	400-1100	5
AD1100-9	TO5i	1.13	1	880	400-1100	6
AD1900-9	TO5i	1.95	3	880	400-1100	7
AD2500-9	TO5i	2.52	5	880	400-1100	8
AD3000-9	TO5i	3.0	7.0	880	400-1100	9
AD5000-9	TO5i	5.0	20.0	880	400-1100	10

三、系列10（YAG增强雪崩二极管）

型号		受光面积		响应波长		实物
芯片	封装	尺寸 mm	面积 mm2	波峰 nm	响应波段nm	实物
AD500-10	TO5i	0.5	0.196			1
AD1500-10	TO5i	1.5	1.77			2

四、系列11（蓝光增强雪崩二极管）

型号		受光面积		响应波长		实物
芯片	封装	尺寸 mm	面积 mm2	波峰 nm	响应波段nm	实物
AD800-11	TO52S1	Φ0.5	0.196			1
AD1900-11	TO5i	Φ1.5	1.77			2

五、InGaAs APD雪崩二极管

型号		受光面积		响应波长		实物
芯片	封装	尺寸 (um)	面积 (mm2)	波峰 (nm)	响应波段 (nm）	实物
IAE080X		Φ80		1550	1000-1650	1
IAE200X		Φ200		1550	1000-1650	2

APD雪崩二极管选型资料

一、系列8（高速高增益雪崩二极管）

型号		受光面积		响应波长		实物
芯片	封装	尺寸 mm	面积 mm2	波峰 nm	响应波段nm	实物
AD230-8	TO52S1	0.23	0.042	800	400-1100	1
AD230-8	TO52S3	0.23	0.042	800	400-1100	2
AD500-8	TO52S1	0.5	0.196	800	400-1100	3
AD500-8	TO52S3	0.5	0.196	800	400-1100	4
AD800-8	TO5i	0.8	0.5	800	400-1100	5
AD1100-8	TO5i	1.13	1	800	400-1100	6
AD1900-8	TO5i	1.95	3	800	400-1100	7
AD2500-8	TO5i	2.52	5	800	400-1100	8
AD100-8	TO52S1	0.1	0.00785	800	400-1100	9

　

　

　

　

　

　

二、系列9（近红外增强雪崩二极管）

型号		受光面积		响应波长		实物
芯片	封装	尺寸 mm	面积 mm2	波峰 nm	响应波段nm	实物
AD230-9	TO52S1	0.23	0.042	880	400-1100	1
AD230-9	TO52S3	0.23	0.042	880	400-1100	2
AD500-9	TO52S1	0.5	0.196	880	400-1100	3
AD500-9	TO52S3	0.5	0.196	880	400-1100	4
AD800-9	TO5i	0.8	0.5	880	400-1100	5
AD1100-9	TO5i	1.13	1	880	400-1100	6
AD1900-9	TO5i	1.95	3	880	400-1100	7
AD2500-9	TO5i	2.52	5	880	400-1100	8
AD3000-9	TO5i	3.0	7.0	880	400-1100	9
AD5000-9	TO5i	5.0	20.0	880	400-1100	10

三、系列10（YAG增强雪崩二极管）

型号		受光面积		响应波长		实物
芯片	封装	尺寸 mm	面积 mm2	波峰 nm	响应波段nm	实物
AD500-10	TO5i	0.5	0.196			1
AD1500-10	TO5i	1.5	1.77			2

　

四、系列11（蓝光增强雪崩二极管）

型号		受光面积		响应波长		实物
芯片	封装	尺寸 mm	面积 mm2	波峰 nm	响应波段nm	实物
AD800-11	TO52S1	Φ0.5	0.196			1
AD1900-11	TO5i	Φ1.5	1.77			2

　

五、InGaAs APD雪崩二极管

型号		受光面积		响应波长		实物
芯片	封装	尺寸 (um)	面积 (mm2)	波峰 (nm)	响应波段 (nm）	实物
IAE080X		Φ80		1550	1000-1650	1
IAE200X		Φ200		1550	1000-1650	2

　

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