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根据记者掌握的情况，长江存储将主攻NAND Flash产品，而福建晋华和合肥长鑫则把目标锁定在DRAM。三家公司中以长江存储动作最快，它由紫光集团和国家集成电路产业投资基金共同出资建立，被认为是中国存储芯片行业中技术和资金水准最高的企业。去年下半年，紫光再次获得国家开发银行和华芯投资共计1500亿元人民币的融资，这为紫光解决存储芯片工厂的资金问题提供了重要保障。由于NAND Flash相对DRAM的技术难易度较低，长江存储也将成为第一家实现量产的中国存储芯片企业。而另外两家企业今年将实现产品试生产，预计到明年正式开始量产。

尽管我们马上就将拥有自己的国产存储芯片，但我国存储芯片企业的技术与国际领先企业仍有较大差距。据韩国半导体行业专业人士分析，如果长江存储如期量产，三星电子领先长江的技术差是4-5年，而对于合肥长鑫则为6-8年，福建晋华为8-10年。与SK海力士的技术落差则根据各家公司情况有所不同，大致缩短1-2年。在考虑到合肥长鑫和福建晋华的DRAM量产预计比长江存储的NAND晚一年，可以判断中国和韩国技术的差距NAND为5年，DRAM为10年。

长久以来，存储芯片市场都被少数国际大企业垄断。NAND Flash市场被三星与东芝联合的Toggle DDR阵营和英特尔与镁光为首的ONFI阵营把持，三星、东芝、闪迪、镁光、SK海力士等国外巨头占据80%以上的市场份额，其中三星是领头羊，市场份额约38%。

而在DRAM市场，三星、SK海力士、镁光占据了主要市场份额。三星的市场占有率近半，SK海力士的市场份额为接近30%，相比之下，市场份额排名4-6的台系厂商的市场份额总和只有5%左右。

可以看出存储芯片供应商被牢牢把持在少数几家厂商手中，而且有着赢者通吃的现象，这对于市场份额占据优势地位的国际大厂非常有利，对于追赶者来说就很不利。如何获得核心技术，尽快缩小技术代差成为关键。