供应：STU5N52K3

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-251-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 525 V

Id-连续漏极电流: 4.4 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V

Qg-栅极电荷: 17 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 70 W

通道模式: Enhancement

封装: Tube

系列: N-channel MDmesh  

晶体管类型: 1 N-Channel  

商标: STMicroelectronics  

下降时间: 16 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 11 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 29 ns  

典型接通延迟时间: 9 ns  

单位重量: 4 g