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从利润率表现来看,三星第一季营业利润率再创历史新高,由64%提升至69%;SK海力士亦从第四季的59%再提升至61%,两家韩厂营业利润率双双突破6成;美光则从53%再度拉升至58%。展望第二季,受惠于DRAM价格持续上涨与制程转进强化成本效益,三大厂在营收表现上可望再创新高,各家获利率亦可望进一步提升。不过,以三星为例,其营业利润率高达69%意味着毛利率已突破8成水位,显示DRAM原厂获利能力已远高于买方能接受的程度,报价上扬幅度可能将趋缓。
观察技术面,三星今年的目标除了维持18nm制程高产出占比(约5-6成),即将投入的平泽厂二楼DRAM产能,也将往下一代16nm制程转进。至于SK海力士,已于去年底开始导入18nm的生产,然进入1Xnm世代制程难度高、转换不易,SK海力士目前仍致力于提升其18nm的良率,其扩厂计划则维持不变,中国无锡新建的第二座12英寸厂仍照进度今年底前完工,最快要到2019上半年才会开始贡献产出。而美光方面,台湾美光内存(原瑞晶)17nm已完成100%转换,台湾美光晶圆科技(原华亚科)则于第二季开始进行20nm往17nm的转换,预计今年底将可望有半数产能转往17nm生产。
台系厂商部分,南亚科受到转进20nm带来明显的位元成长,加上价格持续走扬,第一季营收较前一季大幅成长15.1%。20nm的成本效益更带动营业利润率提升至44.3%,较上季成长5个百分点。展望未来,南亚科在20nm良率将继续向上,透过产品组合持续优化的带动,获利表现将可望进一步提升。
力晶科技方面,除了替晶豪科、爱普等IC设计厂商代工生意成长外,力晶本身DRAM事业的产品报价亦上扬,带动DRAM营收较上季成长8.2%;华邦方面DRAM营收则约略持平,季成长1.2%,主要为利基型内存报价成长幅度较小所致。