STY60NK30Z N通道 300V 60A 大功率场效应管

型号：STY60NK30Z

品牌：STMicroelectronics

描述：分立式半导体场效应管

MOSFET N通道 300V 60A TO-247封装 功率450W

标准包装：30

类别：分立式导体产品

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：220nC @ 10V

漏源极电压 (Vdss)：300V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7200pF @ 25V

功率 - 最大值：450W

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：60A （Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：45 毫欧 @ 30A，10V

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247

供应商器件封装：MAX-247

价格：面议

数量：18960

备注：深圳市勤思达科技有限公司长期供应晶体管FET，MOSFE管 STY60NK30Z

正品原装，厂家直销品质保证，欢迎广大客户朋友咨询谈。

场效应管与晶体管的比较

（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。

（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。

（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用 [2] 。