STB20NK50ZT4 N通道 功率MOSFET 贴片TO-263
日期：2018-5-24
型号：STB20NK50ZT4
品牌：STMicroelectronics
标准包装：1000
类别：分立式导体产品
包装：剪切带 (CT)/reel
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：270 毫欧 @ 8.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：119nC @ 10V
类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
漏源极电压 (Vdss)：500V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：17A （Tc）
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2600pF @ 25V
功率 - 最大值：190W
安装类型：表面贴装/SMD/SMT
供应商标准封装：TO-263-3
价格：面议
数量：18960
备注：深圳市勤思达科技有限公司长期供应晶体管MOSFET STB20NK50ZT4
正品原装，厂家直销品质保证，欢迎广大客户朋友咨询谈。
什么是场效应管
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET
