中国芯片欲打破国外巨头的垄断

中兴事件的爆发就像一把利刃剜出中国芯片产业的短板，巨石砸向深潭激起的涟漪正一波一波地向外扩散。芯片产业从来没有像今天这样，受到媒体、公众甚至国家高层如此迫切的重视。

当今世界，先进半导体芯片业务主要是由英特尔、三星、高通等行业巨头垄断。我国的半导体制造暂时处于落后状态，因为我国还缺少比较先进的半导体芯片制造商。

现实总是如此残酷，在这一关系国家经济命脉的高科技产业，中国依旧没有什么话语权。2017年，中国集成电路进口额达到了2601.4亿美元，同比增长14.6%。有分析资料显示，在存储芯片、服务器、个人电脑、可编程逻辑设备等领域，中国芯片占有率竟然为0。

但是，我国在半导体芯片设计领域还是表现比较好的。比如，在去年的《全球十大芯片设计排行榜》上，就出现了我国的半导体芯片企业。它们分别是紫光和华为海思。

由于技术门槛高、投资规模巨大、高端人才稀缺，作为尖端产业，中国集成电路企业与世界巨头相比还有相当大的差距。

不过变化正在发生，中兴事件的警钟下，政策层面已经开始落实，各地方政府及社会资本也在积极推进，中国半导体产业迎来了爆发式发展的前夜。

一批优秀的半导体企业脱颖而出，IC设计、晶圆代工、封装测试、半导体材料、半导体专用设备等细分领域涌现出领头企业，部分企业甚至成为细分领域的世界翘楚。这些企业代表了中国集成电路产业崛起的雄心。

特别值得说明的是，紫光通过不断努力，已经在今年推出了我国首款商用国产CPU芯片，我国对其具有自主产权。同时，紫光也首次推出了SC9863人工智能芯片平台，为实现全面进入5G时代奠定了基础。

与此同时，以大基金为代表的政府引导基金不断涌现，社会资本不断涌入，一些优秀的投资人正通过资本力量为中国芯片产业注入一股新鲜血液。

在全球半导体产业进入巨头垄断，垂直整合不断频现的时期，中国半导体企业如何走出自己的道路？在各国政府对中资企业实施技术封锁的时刻，中国企业如何自主创新？面对超高规模的资本投入，半导体企业如何有效结合资本手段，推动产业发展？

在中国半导体崛起的背景下，《英才》杂志重磅推出专题策划，梳理中国IC设计、晶圆代工、封装测试、半导体设备、材料产业链优秀企业，把脉产业发展趋势，挖掘其中的投资机遇。

紫光为自己制定了《5G芯片全球领先战略》。紫光通过与英特尔、华为、中国移动等巨头合作，计划在今年推出我国首款5G芯片，并打算在明年下半年搭建起首个商用5G手机平台。如果这两个计划都实现的话，那么我们距离5G时代也就越来越近了。

存储芯片 零的突破

在主流存储芯片领域，中国仍然是一片空白，这一形容前面不用“基本”二字做掩饰。全球DRAM、NAND存储芯片基本由美日韩企业垄断，三星、SK海力士、美光、东芝等巨头顺势赚得盆满钵满。

目前，在存储芯片领域，中国企业开始后起发力，形成三足鼎立的局面——投入NAND Flash市场的长江存储、专注于移动存储芯片DRAM的合肥长鑫以及致力于普通存储芯片的晋华。

紫光为自己制定了《5G芯片全球领先战略》。紫光通过与英特尔、华为、中国移动等巨头合作，计划在今年推出我国首款5G芯片，并打算在明年下半年搭建起首个商用5G手机平台。如果这两个计划都实现的话，那么我们距离5G时代也就越来越近了。

长江存储

从无到有，长江存储是中国第一艘冲破国际巨头垄断的存储基地，堪称中国集成电路产业向空白地带探索的一艘航空母舰。

2016年7月，由紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北省集成电路产业投资基金、湖北科投在武汉新芯的基础上组建长江存储。其中紫光集团出资197亿元，占股51.04%，从而对长江存储形成控股。

“长江存储是中国科技领域的辽宁号航空母舰。”紫光集团董事长赵伟国曾向《英才》记者强调，“从其投资规模、技术水平、对国家产业安全和国家信息安全的意义看，这一比喻并不为过。通过长江存储这个项目，中国集成电路产业才真正在世界上有了一定的地位。”

据统计，长江存储总投资将超过240亿美元。这也是紫光集团目前为止最大的投资项目之一。

总投资达到近90亿美金的无锡海力士工厂可不是第一次着火了，而且它的每一次起火都是戏剧性的，很多网友称其为“自编、自导、自演。”世界上三大芯片厂商，三星、海力士和镁光，三家内存厂商的命运如此的“波折”，首先要说的就是海力士，也就是我们以前说的“现代”。命运是如此的起起伏伏。

2013年发生工厂起火事件，同样导致晶圆体受损，又一次造成停产，随后三星、镁光也相继暂停报价，同时暂停向市场供货，最终造成DRAM市场现货价格一路飙升，内存市场DDR3代8G 内存从近200元的售价提高到600多元，最终导致市场很长时间价格居高不下，三大芯片巨头赚的盆满钵满，同时在事件发生后，保险公司赔偿给海力士9个亿美金的赔款，这也是国内近年来最大的一笔理赔案件。

“紫光未来十年在芯片制造产业上投资1000亿美元是一个基本数字，相当于平均每年投入100亿美元。Intel、台积电、三星每年在芯片制造上的资本开支都超过100亿美元，达不到平均每年100亿美元的投资规模，根本就进入不了芯片制造的第一阵营。”正如赵伟国所说，持续投入是绕不过的门槛。

2016年12月，以长江存储为主体的国家存储器基地正式开工建设，其中包括3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑，预计项目建成后总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。

长江存储以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础，采取自主研发与国际合作双轮驱动的方式，已于2017年研制成功了中国第一颗3D NAND闪存芯片，填补了国内空白，并力争成为世界一流的3D NAND闪存产品供应商。未来这些产品将广泛应用在移动通信，计算机、数据中心和消费电子等领域。

在存储芯片领域，DRAM和NAND是最为重要的两种类型，均呈现寡头垄断的情况。DRAM市场93%以上份额由三星、SK海力士和美光科技三家占据；而NAND Flash市场几乎全部被三星、SK海力士、东芝、闪迪、美光和英特尔六家瓜分。

“在长江存储项目之前，对于中国企业来说，不是缩短差距的问题，因为原来的基础是零，所以在长江存储之前和国际芯片制造巨头的距离是无限远。”赵伟国曾对《英才》记者表示，到2019年，将把紫光与三星、SK海力士的技术差距缩短1-2年左右，利用十年时间拉平与三星的鸿沟。

目前，长江存储科已经打造成为集芯片设计、工艺研发、晶圆生产与测试、销售服务于一体的半导体存储器企业。

全球来看，拥有芯片全产业链能力的企业屈指可数，仅有三星、英特尔、德州仪器等具备贯穿前段的设计，中段的制造和封测，再到后段的市场销售。

相对于IC设计企业（Fabless）、代工企业（Foundry），创建这类IDM公司需要高额的资金成本，以及对整个产业链市场需求的准确把握。从这一角度看，长江存储为我国芯片产业做出了表率，趟出了一条新的道路。则其他两个厂商在看到海力士这种“玩法”之后，也开始效法，比如DRAM芯片生产过程中突然断电，导致芯片损失严重，还有就是制造工艺出现问题，所以市场的芯片供不应求，还有就是三家厂商认为做内存芯片的利润“特别低”，转投到NAND芯片领域，同样导致芯片再次断货。