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本周在火奴鲁鲁举行的VLSI(超大规模集成电路)研讨会上,三星首次分享了基于EUV技术的7nm工艺细节。EUV在半导体领域的应用已经研发了将近30年之久,终于在2018年看到曙光,三星称风险试产年底启动。考虑到风险试产到最终量产大约要维持1年的时间,所以年底和明年初的Exynos和骁龙芯片将暂时无缘7nm EUV。
三星此前已经透露,和高通在合作10nm的改良版8nm,传言首发会是骁龙730。
关于三星的7nm EUV(极紫外光刻),就是使用波长13.5nm的紫外线(波长范围是10~400nm)取代现在的193nm ArF(氟化氩)浸没式光刻,从而使得晶体管更加精密。
ArF光刻机ASML(阿斯麦)和尼康都可以造,但是功率250W的EUV光刻机,全球就只有ASML(阿斯麦)提供的NXE-3400。技术指标方面,三星7nm EUV的栅极间距是54nm,鳍片间距是27nm,前者居然只是Intel 10nm的水平。
比较目前10nm LPP的骁龙845、Exynos 9810,三星7nm EUV的芯片面积将缩小40%。不过三星称,新工艺晶体管的性能将比去年首秀时最多提升20%,功耗最多下降50%。