K4B1G1646I-BCMA

由于带宽和可靠性得到提升，三星 DDR3 在笔记本电脑、台式机和工业解决方案（包括汽车）等设备中得到广泛应用，且速度均为 DDR2 的两倍。

密度1GB或128M×8

速度1866 Mbps电压1.35 V

温度0～85°C封装78FBGA

品牌：SAMSUNG

型号：K4B1G1646I-BCMA

封装：FBGA96

包装：1120PCS

数量：672000

产地：韩国 KOREA

瑞利诚科技（深圳）有限公司

联系人：Eason

电话：13312991513

qq：1134043964

邮箱：13312991513@163.com

由于带宽和可靠性得到提升，三星 DDR3 在笔记本电脑、台式机和工业解决方案（包括汽车）等设备中得到广泛应用，且速度均为 DDR2 的两倍。

密度1GB或128M×8

速度1866 Mbps电压1.35 V

温度0～85°C封装78FBGA

速度快，性能高

- 带宽是 DDR2 的两倍

由于带宽和可靠性得到提升，三星 DDR3 在笔记本电脑、台式机和工业解决方案（包括汽车）等设备中得到广泛应用，且速度均为 DDR2 的两倍。

功耗低、能效高的 DRAM 解决方案

- 与 DDR2 相比，功耗降低达 30%

三星业界先进的 30 纳米级 DRAM 的能耗更低，与上一代产品相比，功耗减少了 30%，进而降低了总体拥有成本。

分类二代双倍数据率同步动态随机存储器三代双倍数据率同步动态随机存储器

界面数据率 (Mbps)400, 533, 667, 800800, 1066, 1333, 1600, 1866, 2133 CL2~65~14

VDD/VDDQ VTT

VTT, 1066, 1333, 1600, 1866, 213

终止(DQ)1.8V1.5V/1.35V

Vref DQ0.5xVDDQ0.5xVDDQ

核心架构Bank Group4, 8 (1Gb~)8

页面大小1KB (x4/8), 2KB(x16)1KB(x4/8), 2KB(x16)

包装类型FBGA (60/84 ball)FBGA(78/96 ball)预读取4 Bit8 Bit

功耗低、能效高的 DRAM 解决方案- 与 DDR2 相比，功耗降低达 30%

三星业界先进的 30 纳米级 DRAM 的能耗更低，与上一代产品相比，功耗减少了 30%，进而降低了总体拥有成本。