BFP196W H6327
日期：2018-7-6
所述增益值Gmax适用于频率为900 MHz（低频产品和高增益高达2.5 GHz的Si晶体管）至1.8 GHz（高增益高达2.5 GHz的Si晶体管，高增益SiGe：C晶体管）高达6 GHz）。噪声系数NFmin已在测试夹具中测量，输入端具有噪声匹配;所述值适用于低频率。 OIP3和OP1dB值已在50欧姆系统中测量，可通过选择合适的负载阻抗进行优化。
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描述：
NPN硅RF晶体管
功能摘要：•适用于天线和电信系统中的低噪声，低失真宽带放大器，集电极电流为20 mA至80 mA时，频率高达1.5 GHz
•用于DECT和PCN系统的功率放大器
•fT = 7.5 GHz，900 MHz时F = 1.3 dB
•无铅（符合RoHS标准）封装
•符合AEC-Q101的资格报告
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品牌：Infineon
型号：BFP196W H6327
封装：SOT343
包装：3000
年份：1817+
产地：MY 马来西亚
数量：960000
瑞利诚科技（深圳）有限公司
联系人：Eason
电话：13312991513
qq：1134043964
邮箱：13312991513@163.com
描述：
NPN硅RF晶体管
功能摘要：•适用于天线和电信系统中的低噪声，低失真宽带放大器，集电极电流为20 mA至80 mA时，频率高达1.5 GHz
•用于DECT和PCN系统的功率放大器
•fT = 7.5 GHz，900 MHz时F = 1.3 dB
•无铅（符合RoHS标准）封装
•符合AEC-Q101的资格报告
目标应用：
•无线通信
•RF前端的LNA
•适用于蜂窝和无绳电话，DECT，调谐器，FM和RF调制解调器等各种应用。
BAR63-03W |天线开关
BAT17-04W |RF混频器和检测器肖特基二极管
BAR63-03W |天线开关
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BAR63-03W |天线开关
BFP760是一款高线性度，低噪声宽带双极性RF晶体管
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低噪声硅双极射频晶体管
•低噪声，低失真宽带
天线和电信中的放大器
集电极电流高达1.5 GHz的系统
20 mA至80 mA
•用于DECT和PCN系统的功率放大器
•fT = 7.5 GHz，900 MHz时NFmin = 1.3 dB
•无铅（符合RoHS标准）和无卤素封装有可见的线索
ESD（静电放电）敏感装置，注意操作注意事项！
键入标记引脚配置包
BFP196W RIs 1 = E 2 = C 3 = E 4 = B - -SOT343
除非另说明，TA = 25°C时的最大额定值
参数符号值单位
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基极电流IB 15总功耗1）
TS≤69°C
Ptot 700 mW
结温TJ 150°C
环境温度TA -65 ... 150
储存温度TStg -65 ... 150热阻
参数符号值单位
结点 - 焊点2）RthJS 115 K / W.
1TS在焊接点处的集电极引线上测量到PCB
2有关RthJS的定义，请参考应用笔记AN077（热阻计算）
除非另有说明，TA = 25°C时的电气特性
参数符号值单位
分钟。（典型值）。最大。
直流特性
集电极 - 发射极击穿电压
IC = 1mA，IB = 0
V（BR）首席执行官12 - - V.
集电极 - 发射极截止电流
VCE = 20 V，VBE = 0
ICES - - 100μA
集电极截止电流
VCB = 10 V，IE = 0
ICBO - - 100 nA
发射极截止电流
VEB = 1 V，IC = 0
IEBO - - 1μA
直流电流增益
IC = 50mA，VCE = 8V，测量脉冲
hFE 70 100 140 -
除非另有说明，TA = 25°C时的电气特性。
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（典型值）。最大。
直流特性
集电极 - 发射极击穿电压
IC = 1mA，IB = 0
V（BR）首席执行官12 - - V.
集电极 - 发射极截止电流
VCE = 20 V，VBE = 0
ICES - - 10μA
集电极截止电流
VCB = 10 V，IE = 0
ICBO - - 100 nA
发射极截止电流
VEB= 1 V，IC = 0
IEBO - - 1μA
直流电流增益
IC = 50mA，VCE = 8V，测量脉冲
hFE 70 100 140 -
除非另有说明，TA = 25°C时的电气特性。
（典型值）。最大。
直流特性
集电极 - 发射极击穿电压
IC = 1mA，IB = 0
V（BR）首席执行官12 - - V.
集电极 - 发射极截止电流
VCE = 20 V，VBE = 0
ICES - - 100μA
集电极截止电流
VCB = 10 V，IE = 0
ICBO - - 100 nA
发射极截止电流
VEB = 1 V，IC = 0
IEBO - - 1μA
直流电流增益
IC = 50mA，VCE = 8V，测量脉冲
hFE 70 100 140 -
除非另有说明，TA = 25°C时的电气特性。
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最大。直流特性
集电极 - 发射极击穿电压
IC = 1mA，IB = 0
V（BR）首席执行官12 - - V.
集电极 - 发射极截止电流
VCE = 20 V，VBE = 0
ICES - - 100μA
集电极截止电流
VCB = 10 V，IE = 0
ICBO - - 100 nA
发射极截止电流
VEB = 1 V，IC = 0
IEBO - - 1μA
直流电流增益
IC = 50mA，VCE = 8V，测量脉冲
hFE 70 100 140 -
除非另有说明，TA = 25°C时的电气特性。 （典型值）
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最大交流特性（随机抽样验证）
过渡频率
IC = 70mA，VCE = 8V，f = 500MHz
fT 5 7.5 - GHz
集电极电容
VCB = 10 V，f = 1 MHz，VBE = 0，
发射器接地
Ccb - 0.86 1.3 pF
集电极发射极电容
VCE = 10 V，f = 1 MHz，VBE = 0，
基地接地
Cce - 0.4 -
发射极电容
VEB = 0.5 V，f = 1 MHz，VCB = 0，收集器接地
Ceb - 3.9 -
最小噪声系数
IC =20 mA，VCE = 8 V，ZS = ZSopt，
f = 900 MHz
f = 1.8 GHz
NFmin
功率增益，最大可用1）
C = 50 mA，VCE = 8 V，ZS = ZSopt，ZL = ZLopt，
f = 900 MHz
f = 1.8 GHz
输出处的三阶拦截点2）
IC = 50 mA，VCE = 8 V，ZS = ZL =50Ω，
f = 0.9 GHz
IP3 - 32 - dBm
输出时1dB压缩点
IC = 50 mA，VCE = 8 V，ZS = ZL =50Ω，
f = 0.9 GHz
P-1dB - 19 -
1Gma = | S21 / S12 | （K-（K2-1）1/2）
2IP3值取决于所有互调频率分量的终止。
用于该测量的终端是从0.2MHz到12GHz的50Ω
功能摘要：
•适用于天线和电信系统中的低噪声，低失真宽带放大器，集电极电流为20 mA至80 mA时，频率高达1.5 GHz
•用于DECT和PCN系统的功率放大器
•fT = 7.5 GHz，900 MHz时F = 1.3 dB
•无铅（符合RoHS标准）封装
•符合AEC-Q101的资格报告
目标应用：
•无线通信
•RF前端的LNA
•适用于蜂窝和无绳电话，DECT，调谐器，FM和RF调制解调器等各种应用。
