BSC093N04LS-G全新原装深圳现货

BSC093N04LS-G

制造商: Infineon  

产品种类: MOSFET  

RoHS:  详细信息  

技术: Si  

安装风格: SMD/SMT  

封装 / 箱体: TDSON-8  

晶体管极性: N-Channel  

通道数量: 1 Channel  

Vds-漏源极击穿电压: 40 V  

Id-连续漏极电流: 49 A  

Rds On-漏源导通电阻: 9.3 mOhms  

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V  

Qg-栅极电荷: 18 nC  

最小工作温度: - 55 C  

最大工作温度: + 150 C  

Pd-功率耗散: 35 W  

通道模式: Enhancement  

商标名: OptiMOS  

系列: OptiMOS 3  

封装: Reel  

封装: Cut Tape  

封装: MouseReel  

商标: Infineon Technologies  

配置: Single  

下降时间: 2.8 ns  

正向跨导 - 最小值: 34 S  

高度: 1.27 mm  

长度: 5.9 mm  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 2.4 ns  

工厂包装数量: 5000  

子类别: MOSFETs  

晶体管类型: 1 N-Channel  

典型关闭延迟时间: 16 ns  

典型接通延迟时间: 3.6 ns  

宽度: 5.15 mm  

零件号别名: BSC093N04LS G SP000387929  

单位重量: 104.400 mg