FDMS86104
日期：2018-7-18摘要：
MOSFET N-CH 100V 7A POWER56
| FET 类型 | N 沟道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 7A（Ta），16A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 24 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 16nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 923pF @ 50V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），73W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |