BSC028N06LS3G
日期:2018-7-21摘要:MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
FET 类型 | N 沟道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 23A(Ta),100A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 2.8 毫欧 @ 50A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 93µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 175nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 13000pF @ 30V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),139W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | PG-TDSON-8 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |