RA45H8994M1 RA45H7687M RA07M1317M
日期：2018-9-18摘要：RA45H8994M1 RA45H7687M RA07M1317M
一：RA45H8994M1是45-watt RF的MOSFET放大器模块12.8-volt移动电台在向工作在896-941-MHz范围.电池可以直接连接到漏极增强型MOSFET晶体管.如果没有门电压和栅电压1 2(VGG1=VGG2=0V),只有一小漏电流流入下水道和额定输出信号(Pout=45W)衰减到60 dB.当固定i.e. 3.4V,是提供给1,的输出功率和电压的漏门当前增加栅极电压2增加.输出功率和漏电流大幅增加门电压2周围E HHH（***低）的条件下，当0V栅极电压1是3.4V.备存的额定输出功率在变为可用状态，VGG2是4V（典型值），5V（）.在这一点上，VGG1要保持3.4V在VGG1=3.4V & VGG2=5V,的典型栅极电流0.4mA.该模块是专为非线性调频调制，但可能也可用于线性调制通过设置静态漏目前同门电压和输出功率控制与输入功率.
特征
•增强型MOSFET晶体管(IDD≅0@ VDD=12.8V, VGG1=VGG2=0V)
• Pout>45W,ηT>33%@VDD=12.8V, VGG1=3.4V, VGG2=5V, Pin=50mW
•宽带频率范围：896-941MHz
•金属帽结构的改善使得RF辐射简单
•低功耗控制电流IGG1+IGG2=0.4mA(typ)@ VGG1=3.4V, VGG2=5V
•模块尺寸：67 x 18 x 9.9 mm
•线性操作有可能通过设置静态漏目前同门电压和输出功率控制与输入功率
二：RA45H7687M1是45-watt RF的MOSFET放大器模块12.8-volt移动电台在向工作在764-870-MHz范围.电池可以直接连接到漏极增强型MOSFET晶体管.如果没有门电压和栅电压1 2(VGG1=VGG2=0V),只有一小漏电流流入下水道和额定输出信号(Pout=45W)衰减到60 dB.当固定i.e. 3.4V,是提供给1,的输出功率和电压的漏门当前增加栅极电压2增加.输出功率和漏电流大幅增加门电压2周围E HHH（***低）的条件下，当0V栅极电压1是3.4V.备存的额定输出功率在变为可用状态，VGG2是4V（典型值），5V（）.在这一点上，VGG1要保持3.4V在VGG1=3.4V & VGG2=5V,的典型栅极电流0.4mA.该模块是专为非线性调频调制，但可能也可用于线性调制通过设置静态漏目前同门电压和输出功率控制与输入功率.
特征
•增强型MOSFET晶体管(IDD≅0@ VDD=12.8V, VGG=0V)
• Pout>45W,ηT>33%@VDD=12.8V, VGG1=3.4V, VGG2=5V, Pin=50mW
•宽带频率范围：764-870MHz
•金属帽结构的改善使得RF辐射简单
•低功耗控制电流IGG1+IGG2=0.4mA (typ)@ VGG1=3.4V, VGG2=5V
•模块尺寸：67 x 18 x 9.9 mm
•线性操作有可能通过设置静态漏目前同门电压和输出功率控制与输入功率
三：RA07M1317M是6.5-watt RF的MOSFET放大器便携式收音机模块7.2-volt的工作在135-到175-MHz范围.电池可以直接连接到漏极增强型MOSFET晶体管.如果没有门电压(VGG进入=0V),只有一小漏电流排水和输入信号衰减的RF高达60 dB.输出功率和漏电流增加门极电压上升.与周围2.5V（***低），输出功率和电压门漏电流大幅增加.额定输出功率变在3V（典型值）和3.5V（）提供.在VGG=3.5V,的典型栅极电流1 mA.该模块是专为非线性调频调制，但也可能是线性调制使用设置排水静态电流与栅极电压和控制输出功率与输入功率.
特征
•增强型MOSFET晶体管(IDD≅0@ VDD=7.2V, VGG=0V)
• Pout>6.5W @ VDD=7.2V, VGG=3.5V, Pin=20mW
•ηT>45% @ Pout=6W (VGG控制），VDD=7.2V, Pin=20mW
•宽带频率范围：135-175MHz
•低功耗控制电流IGG=1mA (typ)在VGG=3.5V
•模块尺寸：30 x 10 x 5.4 mm
•线性操作有可能通过设置静态漏电流随栅极电压和输出功率控制与输入功率
•RA07M1317M-101是RoHS兼容产品.
•RoHS遵守表明该地段后由信“G”扣分.
•该产品包括电子零件中的铅和玻璃铅在电子陶瓷部件