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三菱高频分立MOSFET管 RD07MVS1

日期:2018-9-19类别:会员资讯 阅读:511 (来源:互联网)
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摘要:三菱高频分立MOSFET管 RD07MVS1

RD07MVS1是MOS FET型晶体管专为VHF/UHF RF功率放大器应用

特性:高功率增益:Pout>7W, Gp>10dB@Vdd=7.2V,f=520MHz高效率:60%typ. (175MHz)高效率:55%typ. (520MHz)
应用:对于输出的高功率放大器阶段VHF/UHF 频带移动无线sets
ROHS柔性:RD07MVS1-101,T112是RoHS兼容产品.RoHS遵守表明该地段后由信“G”扣分.该产品包括高熔融高温型焊料中的铅.如何以往,它适用于RoHS方向以下情况除外.1.Lead高熔融焊锡(i.e.tin无铅焊料合金中含有较多的than85%领先.)
RD07MVS1:Silicon RF Power MOS FET (Discrete)  RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,520MHz,7W

DESCRIPTION:RD07MVS1 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF RF power amplifiers applications.FEATURES:High power gain: Pout>7W, Gp>10dB@Vdd=7.2V,f=520MHz  High Efficiency: 60%typ. (175MHz)  High Efficiency: 55%typ. (520MHz) APPLICATION:For output stage of high power amplifiers in  VHF/UHF band mobile radio sets.

RoHS COMPLIANTRD07MVS1-101, T112 is a RoHS compliant product.RoHS compliance is indicating by the letter “G” after the Lot Marking.This product includes the lead in high melting temperature type solders.However, it is applicable to the following exceptions of RoHS Directions.1.Lead in high melting temperature type solders(i.e.tin-lead solder alloys containing more than85% lead.)