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日前，意法半导体和CEA Tech旗下之研究所Leti宣布合作研发硅基氮化镓（GaN）功率切换元件制造技术。该硅基氮化镓功率技术将让意法半导体满足高效能、高功率的应用需求，包括混动和电动汽车车载充电器、无线充电和伺服器。

本合作计划之重点是在200mm晶圆上开发和验证制造先进硅基氮化镓架构的功率二极体和电晶体。研究公司HIS预测，该市场将在2024年前将保持超过20%的年复合成长率。意法半导体和Leti利用IRT奈米电子研究所的框架计划，在Leti的200mm研发线上开发制程技术，预计在2019年完成可供验证的工程样品。同时，意法半导体还将建立一条高品质生产线，包括GaN／Si异质磊晶制程，并计划2020年前在法国图尔前段制程晶圆厂进行首次生产。

此外，有鉴于硅基氮化镓技术对电源产品应用的吸引力，Leti和意法半导体正在评估高密度电源模组所需的先进封装技术。

意法半导体汽车与离散元件产品部总裁Marco Monti表示：「在认识宽带隙半导体令人难以置信的价值后，意法半导体与CEA-Leti开始合作研发硅基氮化镓功率元件的制造和封装技术。意法半导体拥有经过市场检验之生产可靠的高质量产品制造能力，于此次合作之后，我们将进一步拥有产业最完整的GaN和SiC产品和功能组合。」