DG4157EDN-T1-GE4高性能单刀双掷 (SPDT) 模拟开关，采用单电源轨

DG4157E 模拟开关设计采用高密度 CMOS 技术。这些器件在 4.5 V 电源下实现了 0.86Ω 的低导通电阻，功耗低，开关速度快。DG4157E 可以处理模拟和数字信号，并允许幅度高至 V+ 的信号在任一方向上传输。其控制逻辑输入电压可以高于高至 5.5 V 的 V+。控制逻辑输入高阈值在高达 5.5 V 的电源范围内保证低至 1.8 V。该器件具有先断后通的开关特性。其 -3 dB 带宽典型频率为 152 MHz。开关内置一个断电保护电路，以防止在掉电情况下从 COM 引脚到 V+ 之间引起异常电流。每个输出引脚可承受电压大于 7 kV（人体模型）。

工作温度范围为 -40°C 至 +85°C。DG4157E 采用超紧凑型 μDFN-6L 和 SC-70-6 封装。