AWB7225P8进口原装

AWB7225
860 MHz至894 MHz小单元功率放大器模块

产品描述
AWB7225是完全匹配的多芯片模块
（MCM）为微微蜂窝，毫微微蜂窝和客户设计
前提设备（CPE）应用程序。包含由...组成
两条并联路径高线性度，高效率电源
放大器，器件满足极其苛刻的要求
小细胞基础设施架构的需求。
专为LTE，WCDMA和HSDPA空中接口而设计
在860 MHz至894 MHz频段内运行
AWB7225提供高达+27 dBm的LTE（E-TM1.1）
特征
•InGaP HBT技术
•-48 dBc ACPR @±10 MHz，+27 dBm
•30 dB增益
• 高效率
•低晶体管结温
•符合50Ω系统
•低剖面微型表面贴装封装;
符合RoHS
•多载波能力

应用
•LTE，WCDMA和HSDPA空中接口
•微微蜂窝，毫微微蜂窝，家庭节点
•客户端设备（CPE）
电源通过外部90度混合耦合器，
ACPR为-48 dBc。设备运行
方便的+4.5 V电源，并提供30 dB的
射频增益。 AWB7225是使用a制造的
先进的InGaP HBT MMIC技术产品
先进的可靠性，温度稳定性和
坚固性。它的7 mm x 7 mm x 1.3 mm表面
安装封装包含RF匹配网络
优化了输出功率，效率和线性度
一个50Ω系统。

AWB7225
数据表3
表2：绝对最小和最大额定值
表3：操作范围
该装置可以在这些条件下安全地操作;然而，参数性能只有保证
在电气规范中定义的条件下。
参数最小值最大值单位评论
工作频率（f）860 - 894 MHz
电源电压（VCC）+3.6 +4.5 +4.65 V
参考电压（VREF）+2.80
2.85
2.90
+0.5 V PA“on”
PA“关闭”

射频输出功率（POUT）（1） - +27 - dBm
外壳温度（TC）（2）-40 - +85°C
在这些条件下，功能操作不是隐含的。超过任何
一个或绝对最大额定值条件的组合可能会导致
永久性损坏设备。暴露于绝对评级扩大
时间段可能会不利地影响可靠性。
参数最小最大单位
电源电压（VCC）0 + 5V
参考电压（VREF）0 + 3.5V
射频输出功率（POUT）（1） - +30 dBm，
调制
射频输入功率（PIN） - +10 dBm，CW
ESD等级
人体模型（2）
充电装置型号（3）
1C级
四级
MSL等级（4）4 -
结温（TJ） - +150°C
存储温度（TSTG）-40 +150°C
笔记：
（1）外部90°混合耦合器的输出。
（2）JEDEC JS-001-2010。
（3）JEDEC JESD22-C101D。
（4）260°C峰值回流。

AWB7225
数据表
（TC = + 25°C，VCC = + 4.5 V，VREF = +2.85 V，50Ω系统）
笔记：
（1）ACPR和效率在877MHz测量。
（2）POUT = +27 dBm，使用指定的外部90°混合耦合器。
（3）LTE E-TM1.1（10MHz）。
（4）在计算器件结温时，仅使用VCC2（引脚11）电流。
参数最小值最大值单位评论
增益（2）27 30 32 dB
ACPR（1），（2），（3）
@ 10 MHz
@ 20 MHz

加电效率（1），（2），（3）12 14 - ％
热阻（RJC）（4） - 14.5 - °C / W结到外壳
通过VCC引脚提供电流（1），（2），（3） - 796 928 mA总数
静态电流（Icq）200 270 350 mA
参考电流7.5 10 12.5 mA通过VREF引脚
泄漏电流 - 3 10μAVCC = +5 V，VREF = 0 V
和谐（2）
2FO
3fO，4fO

-53 dBc
输入回波损耗（2）15 20 - dB
输出回波损耗（2）15 20 - dB
P1dB - +35.5 - dBm CW音
杂散输出电平（2）
（所有杂散输出） - - -60 dBc
POUT≤+27 dBm
带内负载VSWR <5：1
带外负载VSWR <10：1
适用于所有电压和
温度运行范围
负载失配应力与否
永久性退化或失效（2）8：1 - - VSWR
VCC = + 4.5V，POUT = + 27dBm
适用于全面运行
温度范围

AWB7225
数据表5
关机模式
功率放大器可能会被关闭
模式通过应用逻辑低电平（见操作
范围表）到VREF电压。
图3：应用电路原理图
0.1uF 100uF
GND
在s
射频输入
GND
VCC2
VREF
N / C
GND
RF1IN RF1OUT
VCC1
RF2IN
2
射频输出
1000pF的
4.7KΩ
RF2OUT
GND
DETOUT