MRF101BN恩智浦半导体MRF101射频功率LDMOS晶体管
日期：2018-12-14标签：类别：会员资讯
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摘要：
恩智浦半导体MRF101射频功率LDMOS晶体管是高度坚固的N沟道增强型横向MOSFET，设计用于高达250MHz的高性能。这些晶体管集成了ESD保护和更大的负栅源电压范围，可改善C类工作。两个晶
特征
特征在于30V至50V
适合线性应用
TO-220-3L封装
应用
工业，科学，医疗（ISM）：
激光产生
等离子蚀刻
粒子加速器
MRI和其他医疗应用
工业加热，焊接和干燥系统
广播：
