IRF7402TRPBF
日期:2019-1-21摘要:MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC
【型号】:IRF7402TRPBF
【封装】:SOP8
【品牌】: IR
【包装】:4000
【品质】:百分百全新原厂原装正品
FET 类型 | N 沟道 | |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 6.8A(Ta) | |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.7V,4.5V | |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 35 毫欧 @ 4.1A,4.5V | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 22nC @ 4.5V | |
Vgs(最大值) | ±12V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 650pF @ 15V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装 | |
供应商器件封装 | 8-SO | |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | |