ADMV1010AEZ宽带微波变频器用于测试、测量和无线电应用

ADMV1010、ADMV1011、ADMV1012 和 ADMV1014 是采用紧凑型砷化镓 (GaAs) 设计的单片微波集成电路 (MMIC)、I/Q 下变频器和上变频器。ADMV1010、ADMV1012 和 ADMV1014 经过优化，可用作低噪声上边带 [低端本振 (LO)] 镜像抑制下变频器。ADMV1010 的工作频率范围为 12.6 GHz 至 15.4 GHz。

ADMV1011 提供 21 dB 的转换增益，下边带的边带抑制为 32 dBc，上边带的边带抑制为 23 dBc。频率范围为 17 GHz 至 24 GHz。ADMV1012 提供 15 dB 的转换增益，25 dB 的镜像抑制和 2.5 dB 的噪声系数。ADMV1012 使用射频 (RF) 低噪声放大器 (LNA)，同相/正交 (I/Q) 双平衡混频器，其中激励放大器用 x2 乘法器驱动低端本振。提供 IF1 和 IF2 混频器正交输出，通过外部 90° 混合器件来选择所需的边带。

ADMV1014 提供两种频率转换模式。该器件能够直接正交解调到基带 I/Q 输出信号，以及图像抑制下变频到复杂的中频 (IF) 输出载波频率。基带输出可以是直流耦合，更常用的是 I/Q 输出与足够低的高通转折频率交流耦合，以确保足够的解调精度。ADMV1014 提供灵活的 LO 系统，包括频率四倍选项，允许高达 41 GHz 的 LO 输入频率范围，覆盖宽达 24 GHz 至 44 GHz 的射频输入范围。

ADMV1010、ADMV1011、ADMV1012 和 ADMV1014 采用紧凑的散热增强型 32 端子 LCC/LGA 封装。该器件的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C。这些下变频器/上变频器是测试、测量和无线电应用的理想选择。