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| 型号: | MJD200-1 |
| 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.35 |
| 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 基于收集器的最大容量： | 80 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 12.5 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 12 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 65 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 190 ns |
| VCEsat-Max： | 1.8 V |
| Base Number Matches： | 1 |
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