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  • MJD200T4G图
  • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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  • 数量37650 
  • 厂家ON 
  • 封装TO-252 
  • 批号24+ 
  • 全新原装★真实库存★含13点增值税票!
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  • MJD200T4G图
  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 数量3500 
  • 厂家ON 
  • 封装DPAK 4 LEAD Single Gauge Surface Mount 
  • 批号25+ 
  • 全新原装现货特价销售!
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 数量85000 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOT-252 
  • 批号23+ 
  • 真实库存全新原装正品!代理此型号
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  • 0755-23605827 QQ:2881495753
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  • 集好芯城

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  • 数量15581 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装TO-252 
  • 批号最新批次 
  • 原装原厂 现货现卖
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  • 0755-83239307 QQ:3008092965QQ:3008092965
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  • 深圳市华科泰电子商行

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  • MJD200T4G
  • 数量840000 
  • 厂家ON 
  • 封装TO252 
  • 批号06+ 
  • 绝对原装现货特价
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    QQ:1439873477QQ:1439873477 复制
  • 0755-82567800 QQ:405945546QQ:1439873477
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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 数量100000 
  • 厂家On Semiconductor 
  • 封装N/A 
  • 批号2024+ 
  • 原装正品,假一罚十
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    QQ:1344056792QQ:1344056792 复制
  • 010-62104931 QQ:2880824479QQ:1344056792
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 数量13860 
  • 厂家ON 
  • 封装SOT-252 
  • 批号23+ 
  • 全新原装正品现货热卖
  • QQ:2885348339QQ:2885348339 复制
    QQ:2885348317QQ:2885348317 复制
  • 0755-82519391 QQ:2885348339QQ:2885348317
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 数量660000 
  • 厂家ON Semiconductor(安森美) 
  • 封装 
  • 批号23+ 
  • 支持实单/只做原装
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  • 0755-21006672 QQ:3008961398
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • MJD200T4G
  • 数量9328 
  • 厂家ON-安森美 
  • 封装TO-252-3 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥4.5元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 数量13880 
  • 厂家ON进口原装 
  • 封装TO-252 
  • 批号21+ 
  • 公司只售原装 支持实单
  • QQ:2881495751QQ:2881495751 复制
  • 0755-88917743 QQ:2881495751
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • MJD200T4G
  • 数量984 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装NA/ 
  • 批号23+ 
  • 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
  • QQ:3007977934QQ:3007977934 复制
    QQ:3007947087QQ:3007947087 复制
  • 0755-82546830 QQ:3007977934QQ:3007947087
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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 数量5000 
  • 厂家NXP Semiconductors 
  • 封装贴/插片 
  • 批号2024+ 
  • 百分百原装正品,现货库存
  • QQ:857273081QQ:857273081 复制
    QQ:1594462451QQ:1594462451 复制
  • 010-62104931 QQ:857273081QQ:1594462451
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 数量865000 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOT-252 
  • 批号最新批号 
  • 一级代理,原装特价现货!
  • QQ:2881475757QQ:2881475757 复制
  • 0755-83225692 QQ:2881475757
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量13500 
  • 厂家ON 
  • 封装 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
  • QQ:1002316308QQ:1002316308 复制
    QQ:515102657QQ:515102657 复制
  • 深圳分公司0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • MJD200T4G
  • 数量15000 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装DPAK4LEA 
  • 批号23+ 
  • 代理原装现货价格优势
  • QQ:2103443489QQ:2103443489 复制
    QQ:2924695115QQ:2924695115 复制
  • 0755-82702619 QQ:2103443489QQ:2924695115
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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 数量4500 
  • 厂家ON 
  • 封装TO-252 
  • 批号25+ 
  • 全新原装正品现货
  • QQ:1245773710QQ:1245773710 复制
    QQ:867789136QQ:867789136 复制
  • 0755-82772189 QQ:1245773710QQ:867789136
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  • 深圳市三得电子有限公司

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  • 数量91752 
  • 厂家ON 
  • 封装TO-252 
  • 批号2024 
  • 深圳原装现货库存,欢迎咨询合作
  • QQ:414322027QQ:414322027 复制
    QQ:565106636QQ:565106636 复制
  • 15026993318 QQ:414322027QQ:565106636
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • MJD200T4G
  • 数量28820 
  • 厂家ON 
  • 封装TO-252 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品全新进口深圳现货
  • QQ:1002316308QQ:1002316308 复制
    QQ:515102657QQ:515102657 复制
  • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 数量3333 
  • 厂家ON 
  • 封装N/A 
  • 批号2024 
  • 上海原装现货库存,欢迎查询!
  • QQ:2719079875QQ:2719079875 复制
    QQ:2300949663QQ:2300949663 复制
  • 15821228847 QQ:2719079875QQ:2300949663
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • MJD200T4G
  • 数量8300 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装TO252 
  • 批号21+ 
  • 羿芯诚只做原装 原厂渠道 价格优势
  • QQ:2881498351QQ:2881498351 复制
  • 0755-22968581 QQ:2881498351
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  • 深圳市英德州科技有限公司

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  • MJD200T4G
  • 数量32000 
  • 厂家ON(安森美) 
  • 封装TO-252-2(DPAK) 
  • 批号1年内 
  • 全新原装 货源稳定 长期供应 提供配单
  • QQ:2355734291QQ:2355734291 复制
  • -0755-88604592 QQ:2355734291
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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • MJD200T4G
  • 数量5784 
  • 厂家ON 
  • 封装TO-252 
  • 批号24+ 
  • 全新原装现货,欢迎询购!
  • QQ:1950791264QQ:1950791264 复制
    QQ:221698708QQ:221698708 复制
  • 0755-83222787 QQ:1950791264QQ:221698708
  • MJD200T4G图
  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • MJD200T4G
  • 数量65800 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOT-252 
  • 批号24+ 
  • 假一罚十,原装进口正品现货供应,价格优势。
  • QQ:198857245QQ:198857245 复制
  • 0755-82865294 QQ:198857245
  • MJD200T4G图
  • 深圳市婷轩实业有限公司

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  • MJD200T4G
  • 数量5000 
  • 厂家ON Semiconductor 
  • 封装DPAK-3 
  • 批号23+ 
  • 进口原装现货热卖
  • QQ:2881943288QQ:2881943288 复制
    QQ:3026548067QQ:3026548067 复制
  • 0755-89608519 QQ:2881943288QQ:3026548067
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • MJD200T4G
  • 数量8500 
  • 厂家原厂品牌 
  • 封装原厂封装 
  • 批号新年份 
  • 羿芯诚只做原装长期供,支持实单
  • QQ:2880123150QQ:2880123150 复制
  • 0755-82570600 QQ:2880123150
  • MJD200T4G图
  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • MJD200T4G
  • 数量2500 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOT-252 
  • 批号21+ 
  • 宗天技术 原装现货/假一赔十
  • QQ:444961496QQ:444961496 复制
    QQ:2824256784QQ:2824256784 复制
  • 0755-88601327 QQ:444961496QQ:2824256784
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  • 宇芯通实业(深圳)有限公司

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  • MJD200T4G
  • 数量10000 
  • 厂家ON安森美 
  • 封装5A,25V,NPN互补型功率晶体管 
  • 批号20+ 
  • 只做品牌原装假一赔十
  • QQ:2903107741QQ:2903107741 复制
  • 0755-84535756 QQ:2903107741
  • MJD200T4G图
  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • MJD200T4G
  • 数量26595 
  • 厂家ONS 
  • 封装DPAK 
  • 批号2020+ 
  • 全新原装进口现货特价热卖,长期供应."
  • QQ:1220223788QQ:1220223788 复制
    QQ:1327510916QQ:1327510916 复制
  • 86-0755-28767101 QQ:1220223788QQ:1327510916
  • MJD200T4G图
  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • MJD200T4G
  • 数量5300 
  • 厂家ON 
  • 封装TO-252 
  • 批号20+ 
  • 百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可开13%增值税发票,支持样品,欢迎来电咨询!
  • QQ:1437347957QQ:1437347957 复制
    QQ:1205045963QQ:1205045963 复制
  • 0755-82343089 QQ:1437347957QQ:1205045963
  • MJD200T4G图
  • 深圳市亿科泰电子有限公司

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  • MJD200T4G
  • 数量12652 
  • 厂家ON 
  • 封装DPAK 4 LEAD SINGLE GAUGE SURFACE MOUNT 
  • 批号1133+ 
  • 都会1B028优势出售
  • QQ:800882919QQ:800882919 复制
  • 0755-83978353 QQ:800882919
  • MJD200T4G图
  • 深圳市富莱微科技有限公司

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  • MJD200T4G
  • 数量6750 
  • 厂家ON Semiconductor 
  • 封装TO-252-3, DPak , SC-63 
  • 批号20+ 
  • 进口原装,公司现货
  • QQ:1968343307QQ:1968343307 复制
    QQ:2885835292QQ:2885835292 复制
  • 0755-83210149 QQ:1968343307QQ:2885835292
  • MJD200T4G图
  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • MJD200T4G
  • 数量30000 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装TO-252 
  • 批号23+ 
  • 全新原装现货,价格优势
  • QQ:1774550803QQ:1774550803 复制
    QQ:2924695115QQ:2924695115 复制
  • 0755-82777855 QQ:1774550803QQ:2924695115
  • MJD200T4G图
  • 深圳市湘达电子有限公司

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  • MJD200T4G
  • 数量6600 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装DPAK 
  • 批号20+ 
  • 原盒原装原标签,市场最低价。
  • QQ:215672808QQ:215672808 复制
  • 0755-83229772 QQ:215672808
  • MJD200T4G图
  • 深圳市鹏睿康科技有限公司

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  • MJD200T4G
  • 数量1950 
  • 厂家ON 
  • 封装只做原装 
  • 批号23+ 
  • 原装现货假一赔万,原包原标,支持实单
  • QQ:2885392746QQ:2885392746 复制
    QQ:2885392744QQ:2885392744 复制
  • 0755-83192793 QQ:2885392746QQ:2885392744

产品型号MJD200T4G的概述

MJD200T4G芯片概述 MJD200T4G是一款广泛应用于功率电子行业的NPN多结晶管。该器件主要为高功率应用而设计,尤其是在开关电源、马达驱动及其他需要高电流和高电压的场合。这种晶体管通常用于控制高电流负载,其优秀的电气性能使其成为电子电路中不可或缺的组件。由于其高效能与可靠性,MJD200T4G常常被用作伺服系统、直流电动机、灯光调节器等设备的核心部分。 MJD200T4G的详细参数 以下是MJD200T4G的一些关键技术参数: - 极限参数: - 最大集电极-发射极电压(Vce):60V - 最大集电极电流(Ic):15A - 最大耗散功率(Pd):65W - 电气特性: - 直流增益:20-70 - 饱和电压(Vce(sat)):最大约为2V - 输入结电容(Cje):1200pF(典型值) - 温度特性: - 工作温度范围:-55°C至+150...

产品型号MJD200T4G的Datasheet PDF文件预览

MJD200 (NPN)  
MJD210 (PNP)  
Complementary Plastic  
Power Transistors  
NPN/PNP Silicon DPAK For Surface  
Mount Applications  
http://onsemi.com  
Designed for low voltage, low−power, high−gain audio  
amplifier applications.  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
5 AMPERES  
Features  
Collector−Emitter Sustaining Voltage −  
25 VOLTS, 12.5 WATTS  
V
= 25 Vdc (Min) @ I = 10 mAdc  
C
CEO(sus)  
High DC Current Gain − h = 70 (Min) @ I = 500 mAdc  
FE  
C
= 45 (Min) @ I = 2 Adc  
C
4
= 10 (Min) @ I = 5 Adc  
C
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves  
(No Suffix)  
2
1
3
Low Collector−Emitter Saturation Voltage −  
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 1  
V
CE(sat)  
= 0.3 Vdc (Max) @ I = 500 mAdc  
C
= 0.75 Vdc (Max) @ I = 2.0 Adc  
C
High Current−Gain − Bandwidth Product −  
f = 65 MHz (Min) @ I = 100 mAdc  
T
C
Annular Construction for Low Leakage −  
= 100 nAdc @ Rated V  
MARKING DIAGRAM  
I
CBO  
CB  
Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in  
YWW  
J2x0G  
ESD Ratings: Human Body Model, 3B u 8000 V  
Machine Model, C u 400 V  
Pb−Free Packages are Available  
Y
= Year  
MAXIMUM RATINGS  
WW = Work Week  
x = 1 or 0  
G
Rating  
Collector−Base Voltage  
Collector−Emitter Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Max  
40  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
= Pb−Free Package  
V
CB  
V
25  
CEO  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
V
8.0  
EB  
I
5.0  
10  
Collector Current − Continuous  
− Peak  
C
Base Current  
I
1.0  
Adc  
B
P
12.5  
0.1  
W
W/°C  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
D
D
C
Derate above 25°C  
Total Power Dissipation (Note 1)  
P
1.4  
0.011  
W
W/°C  
@ T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−65 to +150  
°C  
J
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad  
sizes recommended.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
August, 2006 − Rev. 8  
MJD200/D  
 
MJD200 (NPN) MJD210 (PNP)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient (Note 2)  
Symbol  
Max  
Unit  
R
q
JC  
10  
°C/W  
R
q
JA  
89.3  
°C/W  
2. These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad sizes recommended.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 3), (I = 10 mAdc, I = 0)  
V
CEO(sus)  
25  
Vdc  
C
B
Collector Cutoff Current  
(V = 40 Vdc, I = 0)  
V
CBO  
100  
100  
nAdc  
mAdc  
CB  
E
(V = 40 Vdc, I = 0, T = 125°C)  
CB  
E
J
Emitter Cutoff Current (V = 8 Vdc, I = 0)  
V
100  
nAdc  
BE  
C
EBO  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain (Note 3),  
h
FE  
(I = 500 mAdc, V = 1 Vdc)  
C
CE  
70  
45  
10  
180  
(I = 2 Adc, V = 1 Vdc)  
C
CE  
(I = 5 Adc, V = 2 Vdc)  
C
CE  
Collector−Emitter Saturation Voltage (Note 3)  
(I = 500 mAdc, I = 50 mAdc)  
V
V
Vdc  
CE(sat)  
BE(sat)  
C
B
0.3  
0.75  
1.8  
(I = 2 Adc, I = 200 mAdc)  
C
B
(I = 5 Adc, I = 1 Adc)  
C
B
Base−Emitter Saturation Voltage (Note 3), (I = 5 Adc, I = 1 Adc)  
2.5  
1.6  
Vdc  
Vdc  
C
B
Base−Emitter On Voltage (Note 3), (I = 2 Adc, V = 1 Vdc)  
V
BE(on)  
C
CE  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Current−Gain − Bandwidth Product (Note 4)  
f
65  
MHz  
pF  
T
(I = 100 mAdc, V = 10 Vdc, f  
= 10 MHz)  
C
CE  
test  
Output Capacitance  
MJD200  
MJD210  
C
80  
120  
ob  
(V = 10 Vdc, I = 0, f = 0.1 MHz)  
CB  
E
3. Pulse Test: Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle [ 2%.  
4. f = h ⎪• f  
.
test  
T
fe  
ORDERING INFORMATION  
Device  
MJD200  
Package Type  
Shipping  
DPAK  
75 Units / Rail  
1800 / Tape & Reel  
2500 / Tape & Reel  
75 Units / Rail  
MJD200G  
DPAK  
(Pb−Free)  
MJD200RL  
DPAK  
MJD200RLG  
DPAK  
(Pb−Free)  
MJD200T4  
DPAK  
MJD200T4G  
DPAK  
(Pb−Free)  
MJD210  
DPAK  
MJD210G  
DPAK  
(Pb−Free)  
MJD210RL  
DPAK  
1800 / Tape & Reel  
2500 / Tape & Reel  
MJD210RLG  
DPAK  
(Pb−Free)  
MJD210T4  
DPAK  
MJD210T4G  
DPAK  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging  
Specifications Brochure, BRD8011/D.  
http://onsemi.com  
2
 
MJD200 (NPN) MJD210 (PNP)  
T
A
T
C
2.5 25  
V
CC  
+ꢀ30 V  
2
20  
25 ms  
R
+11 V  
C
SCOPE  
0
R
1.5 15  
B
−ꢀ9 V  
D
T (SURFACE MOUNT)  
A
1
51  
1
0.5  
0
10  
5
t , t 10 ns  
r
f
DUTY CYCLE = 1%  
T
C
−ꢀ4 V  
R and R VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS  
B
C
D MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.:  
1
0
FOR PNP TEST CIRCUIT,  
REVERSE ALL POLARITIES  
ꢁ1N5825 USED ABOVE I 100 mA  
ꢁMSD6100 USED BELOW I 100 mA  
B
25  
50  
75  
100  
125  
150  
B
T, TEMPERATURE (°C)  
Figure 1. Power Derating  
Figure 2. Switching Time Test Circuit  
1K  
10K  
5K  
t
d
V
I /I = 10  
= 30 V  
500  
CC  
t
s
300  
200  
3K  
2K  
C B  
I = I  
B1 B2  
T = 25°C  
J
100  
50  
1K  
500  
30  
20  
300  
200  
t
r
V
= 30 V  
CC  
I /I = 10  
C B  
10  
5
100  
T = 25°C  
J
50  
3
2
30  
20  
MJD200  
MJD210  
MJD200  
MJD210  
t
f
1
0.01  
10  
0.01  
0.03 0.05 0.1  
0.2 0.3 0.5  
1
2
3
5
10  
0.03 0.05 0.1  
0.02  
0.2 0.3 0.5  
1
2
3
5
10  
0.02  
I , COLLECTOR CURRENT (A)  
C
I , COLLECTOR CURRENT (A)  
C
Figure 3. Turn−On Time  
Figure 4. Turn−Off Time  
http://onsemi.com  
3
+
                                             
2
*APPLIES FOR I /I h  
C B FE/3  
                                          
1.5  
+1  
                                             
                                          
0.5  
0
+ꢀ0.5  
                                          
0.5  
−ꢀ0.5  
−1  
                                             
                                          
1.5  
−ꢀ55°C to 25°C  
                                             
2
−ꢀ55°C to 25°C  
                                          
2.5  
0.05 0.07 0.1  
−ꢀ2.5  
0.05 0.07 0.1  
+
+
+
                                          
2.5  
+ꢀ2.5  
+ꢀ2  
MJD200 (NPN) MJD210 (PNP)  
NPN  
PNP  
MJD200  
MJD210  
400  
200  
400  
T = 150°C  
J
25°C  
T = 150°C  
J
200  
25°C  
−ꢀ55°C  
100  
80  
100  
80  
−ꢀ55°C  
60  
40  
60  
40  
V
V
= 1 V  
= 2 V  
V
V
= 1 V  
= 2 V  
CE  
CE  
CE  
CE  
20  
20  
0.05 0.07 0.1  
0.2 0.3  
0.5 0.7  
1
2
3
5
0.05 0.07 0.1  
0.2 0.3  
0.5 0.7  
1
2
3
5
I , COLLECTOR CURRENT (A)  
C
I , COLLECTOR CURRENT (A)  
C
Figure 5. DC Current Gain  
2
2
T = 25°C  
J
T = 25°C  
J
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0
1.6  
1.2  
0.8  
V
@ I /I = 10  
C B  
V
@ I /I = 10  
BE(sat) C B  
BE(sat)  
V
@ V = 1 V  
CE  
BE  
V
@ V = 1 V  
CE  
BE  
0.4  
0
V
@ I /I = 10  
C B  
CE(sat)  
V
@ I /I = 10  
C B  
CE(sat)  
0.05 0.07 0.1  
0.2 0.3  
0.5 0.7  
1
2
3
5
0.05 0.07 0.1  
0.2 0.3  
0.5 0.7  
1
2
3
5
I , COLLECTOR CURRENT (A)  
C
I , COLLECTOR CURRENT (A)  
C
Figure 6. “On” Voltage  
*APPLIES FOR I /I h  
C B  
FE/3  
+ꢀ1.5  
+ꢀ1  
25°C to 150°C  
−ꢀ55°C to 25°C  
25°C to 150°C  
q
for V  
CE(sat)  
*q for V  
VC  
VC  
CE(sat)  
0
−ꢀ55°C to 25°C  
25°C to 150°C  
25°C to 150°C  
−ꢀ1  
q
for V  
BE  
VB  
−ꢀ1.5  
q
for V  
BE  
VB  
−ꢀ2  
0.2 0.3  
0.5 0.7  
1
2
3
5
0.2 0.3  
0.5 0.7  
1
2
3
5
I , COLLECTOR CURRENT (A)  
C
I , COLLECTOR CURRENT (A)  
C
Figure 7. Temperature Coefficients  
http://onsemi.com  
4
MJD200 (NPN) MJD210 (PNP)  
1
0.7  
0.5  
D = 0.5  
0.2  
0.1  
0.3  
0.2  
P
(pk)  
R
R
(t) = r(t) q  
JC  
q
q
JC  
= 10°C/W MAX  
0.05  
JC  
0.1  
D CURVES APPLY FOR POWER  
PULSE TRAIN SHOWN  
READ TIME AT t  
0.07  
0.05  
t
1
0.02  
t
2
1
0.01  
T
− T = P q  
C (pk) JC  
(t)  
J(pk)  
0.03  
0.02  
DUTY CYCLE, D = t /t  
1 2  
0 (SINGLE PULSE)  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
0.2  
0.5  
1
2
5
10  
20  
50  
100  
200  
t, TIME (ms)  
Figure 8. Thermal Response  
10  
There are two limitations on the power handling ability of  
a transistor: average junction temperature and second  
5ꢂms  
5
3
2
breakdown. Safe operating area curves indicate I − V  
C
CE  
T = 150°C  
J
100ꢂms  
500ꢂms  
1ꢂms  
dc  
limits of the transistor that must be observed for reliable  
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater  
dissipation than the curves indicate.  
1
The data of Figure 9 is based on T  
= 150°C; T is  
J(pk)  
C
BONDING WIRE LIMITED  
THERMALLY LIMITED @ T = 25°C  
ꢁ(SINGLE PULSE)  
variable depending on conditions. Second breakdown pulse  
limits are valid for duty cycles to 10% provided T  
0.1  
C
J(pk)  
v 150°C. T  
may be calculated from the data in  
J(pk)  
SECOND BREAKDOWN LIMITED  
ꢁCURVES APPLY BELOW  
ꢁRATED V  
Figure 8. At high case temperatures, thermal limitations will  
reduce the power that can be handled to values less than the  
limitations imposed by second breakdown.  
CEO  
0.01  
0.3  
1
2
3
5
7
10  
20 30  
V
, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (V)  
CE  
Figure 9. Active Region Safe Operating Area  
200  
T = 25°C  
J
C
ib  
100  
70  
50  
C
ob  
MJD200 (NPN)  
MJD210 (PNP)  
30  
20  
0.4 0.6  
1
2
4
6
10  
20  
40  
V , REVERSE VOLTAGE (V)  
R
Figure 10. Capacitance  
http://onsemi.com  
5
 
MJD200 (NPN) MJD210 (PNP)  
PACKAGE DIMENSIONS  
DPAK  
CASE 369C  
ISSUE O  
NOTES:  
SEATING  
−T−  
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING  
PER ANSI Y14.5M, 1982.  
PLANE  
C
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.  
B
R
INCHES  
DIM MIN MAX  
MILLIMETERS  
E
V
MIN  
5.97  
6.35  
2.19  
0.69  
0.46  
0.94  
MAX  
6.22  
6.73  
2.38  
0.88  
0.58  
1.14  
A
B
C
D
E
F
G
H
J
0.235 0.245  
0.250 0.265  
0.086 0.094  
0.027 0.035  
0.018 0.023  
0.037 0.045  
0.180 BSC  
0.034 0.040  
0.018 0.023  
0.102 0.114  
0.090 BSC  
4
2
Z
A
K
S
1
3
4.58 BSC  
U
0.87  
0.46  
2.60  
1.01  
0.58  
2.89  
K
L
2.29 BSC  
F
J
R
S
U
V
Z
0.180 0.215  
0.025 0.040  
4.57  
0.63  
0.51  
0.89  
3.93  
5.45  
1.01  
−−−  
1.27  
−−−  
L
H
0.020  
0.035 0.050  
0.155 −−−  
−−−  
D 2 PL  
M
G
0.13 (0.005)  
T
STYLE 1:  
PIN 1. BASE  
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
4. COLLECTOR  
SOLDERING FOOTPRINT*  
6.20  
3.0  
0.244  
0.118  
2.58  
0.101  
5.80  
0.228  
1.6  
0.063  
6.172  
0.243  
mm  
inches  
ǒ
Ǔ
SCALE 3:1  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering  
details, please download the ON Semiconductor Soldering and  
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.  
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