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    • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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    • 集好芯城

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    • 数量3141 
    • 厂家ON Semiconductor 
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    • 0755-83239307 QQ:3008092965QQ:3008092965
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    • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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    • 厂家ON/安森美 
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    • 代理原装现货价格优势
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    • 北京齐天芯科技有限公司

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    • 北京元坤伟业科技有限公司

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    • 深圳市正信鑫科技有限公司

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    • 原装正品★真实库存★价格优势★欢迎来电洽谈
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    • 0755-22655674 QQ:1686616797QQ:2440138151
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    • 北京元坤伟业科技有限公司

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    • 数量5000 
    • 厂家ON Semiconductor 
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    • 010-62106431 QQ:857273081QQ:1594462451
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    • 深圳市惊羽科技有限公司

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    • 数量36218 
    • 厂家ON-安森美 
    • 封装DO-201 
    • 批号▉▉：2年内 
    • ▉▉￥3一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
    • QQ:43871025QQ：43871025 复制
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    • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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    • 厂家ON 
    • 封装 
    • 批号2023+ 
    • 绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
    • QQ:1002316308QQ：1002316308 复制
      QQ:515102657QQ：515102657 复制
    • 深圳分公司0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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    • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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    • 数量8800 
    • 厂家ON/安森美 
    • 封装原厂封装 
    • 批号新年份 
    • 羿芯诚只做原装，原厂渠道，价格优势可谈！
    • QQ:2853992132QQ：2853992132 复制
    • 0755-82570683 QQ:2853992132
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    • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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    • 数量8500 
    • 厂家原厂品牌 
    • 封装原厂封装 
    • 批号新年份 
    • 羿芯诚只做原装长期供，支持实单
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    • 0755-82570600 QQ:2880123150
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    • 宇芯通实业(深圳)有限公司

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    • 厂家ON安森美 
    • 封装3A,600V快恢复整流二极管 
    • 批号20+ 
    • 只做品牌原装假一赔十
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    • 0755-84535756 QQ:2903107741
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    • 深圳市宗天技术开发有限公司

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    • 数量1000 
    • 厂家ON/安森美 
    • 封装DO-201AD 
    • 批号21+ 
    • 宗天技术 原装现货/假一赔十
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      QQ:2824256784QQ：2824256784 复制
    • 0755-88601327 QQ:444961496QQ:2824256784
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    • 深圳市能元时代电子有限公司

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    • 厂家ONSEMI 
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    • 原装现货假一赔十，可含长期供货！
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    • 深圳市凯睿晟科技有限公司

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    • 百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
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    • 千层芯半导体（深圳）有限公司

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    • 厂家ON 
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    • 原厂/代理渠道价格优势
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      QQ:2593109009QQ：2593109009 复制
    • 0755-83978748,0755-23611964,13760152475 QQ:2685694974QQ:2593109009
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    • 万三科技(深圳)有限公司

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    • 数量6500000 
    • 厂家ON Semiconductor 
    • 封装原厂原装 
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    • 万三科技 秉承原装 实单可议
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    • 0755-21008751 QQ:3008961396
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    • 深圳市湘达电子有限公司

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    • 数量6600 
    • 厂家ON 
    • 封装2-PinCase267-05Box 
    • 批号20+ 
    • 原盒原装原标签,市场最低价。
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    • 0755-83229772 QQ:215672808
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    • 北京云中青城科技有限公司

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    • 数量6000 
    • 厂家ON 
    • 封装DO-201 AD 
    • 批号20+ 
    • 只做原装.诚信经营
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    • 010-62669145 QQ:1290208342QQ:260779663
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    • 深圳市捷立辉科技有限公司

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    • 数量29686 
    • 厂家ON/安森美 
    • 封装CASE267-05-2 
    • 批号21+ 
    • 进口原装现货，公司真实库存ON代理渠道
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    • -0755-82792948 QQ:1803576909
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    • 深圳市科雨电子有限公司

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    • 数量6675 
    • 厂家ON 
    • 封装DO-201 
    • 批号24+ 
    • ★体验愉快问购元件！！就找我吧!单价:4元
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    • 133-5299-5145（微信同号） QQ:1415691092
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    • 深圳市凯信扬科技有限公司

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    • MR856G
    • 数量58200 
    • 厂家ON/安森美 
    • 封装NA 
    • 批号21+ 
    • ▲▲▲诚信经营，服务至上，十年专注▲▲▲
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    • 0755-82518059 QQ:872328909
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    • 深圳市创思克科技有限公司

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    • 数量8000 
    • 厂家CHILISIN/奇力新 
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    • 全新原装原厂实力挺实单欢迎来撩
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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 数量30863 
    • 厂家原厂品牌 
    • 封装原厂外观 
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    • 全新原装部分现货其他订货
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    产品型号MR856G的概述

    芯片MR856G的概述 MR856G是一种广泛应用于电力电子领域的集成电路，主要用于功率控制和管理，通过有效的调节和控制电流以及电压来实现高效的能量传输与应用。它主要设计用于各种电力变换器、开关电源等设备中，具有出色的性能和广泛的适用性。 MR856G芯片在设计上充分考虑了其在高温、高压等严苛环境下的稳定性和可靠性，并且其工作效率相对较高，使得在实际应用中，不仅能降低能耗，还能延长设备的使用寿命。随着电子技术的发展，MR856G也逐渐成为新能源和智能设备等领域的重要组件，推动了许多前沿技术的进步。 芯片MR856G的详细参数 MR856G的核心参数包括以下几个方面： - 工作电压范围：MR856G的工作电压范围为8V至60V，在这一范围内能够保证稳定的工作状态，适合多种电力应用。 - 最大输出电流：芯片支持最大输出电流为10A，这使得其能够适应各种主流的电源供电需求。 - 工作频率：其...

    产品型号MR856G的Datasheet PDF文件预览

    CURRENT 3.0 Amperes  
    VOLTAGE 50 to 600 Volts  
    MR850G THRU MR856G  
    Features  
    · Plastic package has Underwrites Laboratory Flammability  
    Classification 94V-0  
    · Fast switching high efficiency  
    DO-201AD  
    · Glass passivated junction  
    · High current capability  
    · High temperature soldering guaranteed:250℃/10 seconds,  
    0.375"(9.5mm) lead length, 5 lbs.(2.3kg) tension.  
    0.210(5.3)  
    0.188(4.8)  
    1.0(25.4)  
    DIA.  
    MIN.  
    0.375(9.5)  
    0.285(7.2)  
    Mechanical Data  
    1.0(25.4)  
    MIN.  
    · Case : JEDEC DO-201AD molded plastic body  
    · Terminals : Plated axial lead solderable per MIL-STD-750,  
    method 2026  
    · Polarity : Color band denotes cathode end  
    · Mounting Position : Any  
    0.042(1.1)  
    0.037(0.9)  
    DIA.  
    Dimensions in inches and (millimeters)  
    · Weight : 0.041 ounce, 1.18 grams  
    Maximum Ratings And Electrical Characteristics  
    (Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified, Single phase, half wave 60Hz, resistive or inductive  
    load. For capacitive load, derate by 20%)  
    Symbols  
    MR850G MR851G  
    MR852G MR854G  
    Units  
    MR856G  
    Maximum recurrent peak reverse voltage  
    Maximum RMS voltage  
    V
    RRM  
    RMS  
    50  
    35  
    50  
    100  
    70  
    200  
    140  
    200  
    400  
    280  
    400  
    Volts  
    Volts  
    Volts  
    600  
    420  
    600  
    V
    Maximum DC blocking voltage  
    V
    DC  
    100  
    Maximum average forward rectified current  
    R load at TA=90℃  
    I(AV)  
    3.0  
    Amps  
    Peak forward surge current 10ms single half  
    sine-wave superimposed on rated load at  
    (JEDEC method)  
    I
    FSM  
    100.0  
    Amps  
    Volts  
    μA  
    Maximum instantaneous forward voltage  
    at 3.0A  
    V
    F
    1.25  
    5.0  
    Maximum DC reverse  
    current at rated DC  
    blocking voltage  
    T
    T
    A
    =25℃  
    IR  
    A=125℃  
    100  
    150  
    30  
    Maximum reverse recovery time (Note 1)  
    Max.thermal resistance  
    Trr  
    ns  
    ℃/W  
    pF  
    R
    θJA  
    CJ  
    Typical junction capacitance (Note 2)  
    25.0  
    Operating junction and storage  
    temperature range  
    T
    J
    ℃
    -65 to +175  
    T
    STG  
    Notes:  
    (1) Test conditions: I  
    F=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A.  
    (2) Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts.  
    RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES MR850G THRU MR856G  
    FIG.2-TYPICAL FORWARD CURRENT  
    DERATING CURVE  
    FIG.1-TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD  
    CHARACTERISTICS  
    100  
    5
    10mm  
    10mm  
    Tj=25℃  
    4
    3
    10  
    2
    1
    0
    1
    0.1  
    0
    25  
    50  
    75  
    100  
    125  
    150  
    175  
    0.6  
    0.8  
    1
    1.2  
    1.4  
    1.6  
    LEAD TEMPERATURE (℃)  
    VF INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE DROP (V)  
    FIG.4-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE  
    FIG.3-MAXIMUM NON-REPETITIVE  
    FORWARD SURGE CURRENT  
    100  
    125  
    100  
    8.3m SINGLE HALF SINE WAVE  
    (JEDEC Method)  
    50  
    75  
    50  
    25  
    0
    Tj=25℃  
    f=1MHz  
    1
    2
    4
    6
    8 10  
    20  
    40  
    60  
    100  
    NUMBER OF CYCLES AT 60Hz  
    10  
    5
    1
    5
    10  
    50  
    100  
    VR REVERSE VOLTAGE (V)  
    配单直通车
    MR856G产品参数
    型号:MR856G
    是否无铅： 不含铅
    生命周期：Active
    零件包装代码：DO-201AD
    包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, CASE 267-05, 2 PIN
    针数：2
    制造商包装代码：CASE 267-05
    Reach Compliance Code：unknown
    风险等级：5.65
    其他特性：FREE WHEELING DIODE
    应用：EFFICIENCY
    外壳连接：ISOLATED
    配置：SINGLE
    二极管元件材料：SILICON
    二极管类型：RECTIFIER DIODE
    JEDEC-95代码：DO-201AD
    JESD-30 代码：O-PALF-W2
    JESD-609代码：e3
    湿度敏感等级：NOT SPECIFIED
    最大非重复峰值正向电流：100 A
    元件数量：1
    相数：1
    端子数量：2
    最大输出电流：3 A
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：ROUND
    封装形式：LONG FORM
    峰值回流温度（摄氏度）：260
    认证状态：COMMERCIAL
    最大重复峰值反向电压：600 V
    最大反向恢复时间：0.3 µs
    表面贴装：NO
    端子面层：MATTE TIN
    端子形式：WIRE
    端子位置：AXIAL
    处于峰值回流温度下的最长时间：40
    Base Number Matches：1
    •  
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