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MRF6P21190HR6产品参数
型号:MRF6P21190HR6
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数:4
制造商包装代码:CASE 375D-05
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.81
外壳连接:SOURCE
配置:COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压:68 V
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:S BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F4
元件数量:2
端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):700 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
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