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产品型号MT275C08T3的Datasheet PDF文件预览

MT275C18T3  
Thyristor Modules  
VRRM / VDRM 800 to 1800V  
ITAV  
275A  
Applications  
y
y
y
y
Power Converters  
Lighting Control  
DC Motor Control and Drives  
Heat and temperature control  
Circuit  
Features  
y
y
y
International standard package  
High Surge Capability  
Simple Mounting  
Module Type  
TYPE  
VRRM  
800V  
1200V  
1600V  
1800V  
VRSM  
900V  
1300V  
1700V  
1900V  
MT275C08T3  
MT275C12T3  
MT275C16T3  
MT275C18T3  
Maximum Ratings  
Symbol  
Conditions  
Values  
Units  
ITAV  
Sine 180o;Tc=85  
275  
A
ITSM  
i2t  
TVJ =45t=10ms, sine  
8000  
A
TVJ =45t=10ms, sine  
320000  
A2s  
Visol  
Tvj  
a.c.50HZ;r.m.s.;1min  
2500  
V
-40 to 125  
-40 to 125  
Tstg  
TVJ= TVJM , 2/3VDRM ,IG =500mA  
Tr<0.5us,tp>6us  
di/dt  
150  
A/us  
V/us  
dv/dt  
TJ= TVJM ,2/3VDRM, linear voltage rise  
Module(Approximately)  
1000  
Weight  
600  
g
Thermal Characteristics  
Symbol  
Rth(j-c)  
Conditions  
Cont.;per module  
per module  
Values  
0.13  
Units  
/W  
Rth(c-s)  
0.03  
/W  
Document Number: S-M0041  
Rev.1.0, May.31, 2013  
www.apt-semi.com  
1
MT275C18T3  
Electrical Characteristics  
Values  
Units  
Symbol  
Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
1.6  
VTM  
T=25ITM =750A  
V
mA  
W
IRRM/IDRM  
PGM  
IGM  
TVJ =TVJM ,VR=VRRM ,VD=VDRM  
30  
12  
3
A
VGT  
IGT  
TVJ =25, VD =6V  
TVJ =25, VD =6V  
TVJ =25, RG = 33  
TVJ =25, VD =6V  
2
V
150  
mA  
mA  
mA  
IL  
400  
200  
IH  
Performance Curves  
400  
W
1000  
A
cont  
800  
rec.180  
sin.180  
300  
rec.120  
rec.90  
Typ.  
600  
rec.60  
rec.30  
200  
100  
400  
200  
IT  
Max  
25  
- - -125℃  
PTAV  
0
0
ITAV  
100  
200  
A 300  
0
VTM  
0.5  
1.0  
1.5  
V
2.0  
Fig1. Power dissipation  
Fig2.Forward Characteristics  
0.2  
50HZ  
8000  
A
/ W  
Zth(j-C)  
0.1  
4000  
0
0
0.001  
t
0.01  
0.1  
1
10  
S 100  
10  
100  
ms 1000  
Fig3. Transient thermal impedance  
Fig4. Max Non-Repetitive Forward Surge  
Current  
Document Number: S-M0041  
Rev.1.0, May.31, 2013  
www.apt-semi.com  
2
MT275C18T3  
100  
V
1/2·MT275C18T3  
10  
1
VG  
0.1  
0.001 IG  
0.01  
0.1  
1
10  
A
100  
Fig5. Gate trigger Characteristics  
Package Outline Information  
CASE: T3  
Dimensions in mm  
Document Number: S-M0041  
Rev.1.0, May.31, 2013  
www.apt-semi.com  
3
配单直通车
MT27C210-20产品参数
型号:MT27C210-20
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
包装说明:QCCN, LCC(UNSPEC)
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92
最长访问时间:200 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:UVPROM
内存宽度:16
字数:65536 words
字数代码:64000
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C
组织:64KX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC
封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC(UNSPEC)
封装形式:CHIP CARRIER
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流:0.0001 A
子类别:EPROMs
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD
端子位置:QUAD
Base Number Matches:1
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