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  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市雅维特电子有限公司

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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市赛尔通科技有限公司

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  • 深圳市宏世佳电子科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 北京首天国际有限公司

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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 深圳市科宏特电子有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市腾浩伟业电子有限公司

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  • 上海金庆电子技术有限公司

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  • 上海金庆电子技术有限公司

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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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MT9VDDT6472AG-335产品参数
型号:MT9VDDT6472AG-335
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MICRON TECHNOLOGY INC
包装说明:DIMM, DIMM184
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92
最长访问时间:0.7 ns
最大时钟频率 (fCLK):167 MHz
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDMA-N184
内存密度:4831838208 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:72
端子数量:184
字数:67108864 words
字数代码:64000000
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:64MX72
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM184
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192
最大待机电流:0.045 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:3.645 mA
标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
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