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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 厂家ON/安森美 
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  • 集好芯城

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  • MTP20N15E
  • 数量15018 
  • 厂家ON/安森美 
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • MTP20N15EG
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 封装TO-220-3 
  • 批号▉▉:2年内 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • MTP20N15EG
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  • 厂家ON-安森美 
  • 封装TO-220-3 
  • 批号▉▉:2年内 
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • MTP20N15E
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  • 厂家ON Semiconductor 
  • 封装原厂原装 
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  • 一级代理,原装特价现货!
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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 厂家ON Semiconductor 
  • 封装贴/插片 
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  • MTP20N15E图
  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 数量22700 
  • 厂家ON 
  • 封装TO-220 
  • 批号2024 
  • 上海原装现货库存,欢迎咨询
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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 封装TO220 
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  • 宗天技术 原装现货/假一赔十
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  • 深圳市和谐世家电子有限公司

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  • 数量1580 
  • 厂家ON Semiconductor 
  • 封装TO-220AB 
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  • 全新原装假一贴十!
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  • MTP20N15E图
  • 深圳市能元时代电子有限公司

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  • MTP20N15E
  • 数量23000 
  • 厂家MOTOROLA 
  • 封装TO220 
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  • 原装现货假一赔十,可含长期供货!
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  • MTP20N15E 功率三极管图
  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • MTP20N15E 功率三极管
  • 数量12838 
  • 厂家原厂品牌 
  • 封装原厂封装 
  • 批号最新年份 
  • 原厂进口正品部分现货
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  • MTP20N15EG图
  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • MTP20N15EG
  • 数量6500 
  • 厂家
  • 封装TO-220 
  • 批号20+ 
  • 百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可开13%增值税发票,支持样品,欢迎来电咨询!
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  • MTP20N15EG图
  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 数量8866 
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  • 深圳市楚胜电子有限公司

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  • 厂家ON 
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  • 房间现货,价格优势。
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  • 一线:0755-23483775 QQ:424519403
  • MTP20N15E图
  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • MTP20N15E
  • 数量11846 
  • 厂家ON 
  • 封装TO-220-3 
  • 批号1818+ 
  • 一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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  • MTP20N15E图
  • 深圳市腾浩伟业电子有限公司

  • MTP20N15E
  • 数量8600 
  • 厂家ON Semiconductor 
  • 封装原厂原装 
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  • 原装现货,价格低于市场
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  • 0755-18218171380 QQ:2881504365
  • MTP20N15E图
  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • MTP20N15E
  • 数量18000 
  • 厂家原厂品牌 
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 封装TO-220 
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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  • 原厂进口正品部分现货
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产品型号MTP20N15E的概述

MTP20N15E 芯片概述 MTP20N15E 是一种 N 沟道 MOSFET,属于高效能功率半导体器件的类别。该芯片主要应用于开关电源、马达驱动和其他高效电力管理系统。由于其优良的电气特性和可靠性,MTP20N15E 在现代电子设备中得到了广泛的应用。 详细参数 MTP20N15E MOSF...
配单直通车
MTP20N15E产品参数
型号:MTP20N15E
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3
制造商包装代码:CASE 221A-09
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.31
雪崩能效等级(Eas):60 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):20 A
最大漏极电流 (ID):20 A
最大漏源导通电阻:0.13 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):112 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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