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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • MWI100-12A8图
  • 深圳市芯泽盛世科技有限公司

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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 上海原装现货,专营模块
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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市力拓辉电子有限公司

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  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年
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  • 深圳市潮南大宇电子有限公司

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  • 数量143 
  • 厂家IXYS/艾赛斯 
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  • 深圳市斌腾达科技有限公司

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  • 主打产品价格优惠.全新原装正品
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  • 上海如美电子科技有限公司

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  • 封装厂家直销.IGBT模块.可控硅模块二极管整流桥 
  • 批号19+ 
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  • 上海华整贸易有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 数量2449 
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  • ★体验愉快问购元件!!就找我吧!单价:2449元
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  • 香港元动力半导体有限公司

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  • 数量17244 
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MWI100-12A8产品参数
型号:MWI100-12A8
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:LITTELFUSE INC
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X19
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.23
其他特性:UL RECOGNIZED
外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):160 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X19
JESD-609代码:e3
元件数量:6
端子数量:19
最高工作温度:125 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):640 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):690 ns
标称接通时间 (ton):160 ns
VCEsat-Max:2.6 V
Base Number Matches:1
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