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| 型号: | NAND512R3A2DZA6E |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | 9 X 11 MM, 1.05 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63 |
| 针数： | 63 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.62 |
| 最长访问时间： | 15000 ns |
| 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | NO |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 |
| JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 11 mm |
| 内存密度： | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 4K |
| 端子数量： | 63 |
| 字数： | 67108864 words |
| 字数代码： | 64000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 64MX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA |
| 封装等效代码： | BGA63,10X12,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 页面大小： | 512 words |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.8 V |
| 编程电压： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES |
| 座面最大高度： | 1.05 mm |
| 部门规模： | 16K |
| 最大待机电流： | 0.00005 A |
| 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.02 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 切换位： | NO |
| 类型： | SLC NAND TYPE |
| 宽度： | 9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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