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NDB6060L产品参数和技术文档

NDB6060L产品图

NDB6060L产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
800
1.23555
$988.44

NDB6060L产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB

详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 48A(Tc) 100W(Tc) D²PAK(TO-263AB)

制造商:ON Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):48A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):20 毫欧 @ 24A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):60nC @ 5V

Vgs(最大值):±16V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2000pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):100W(Tc)

工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:D²PAK(TO-263AB)

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

标准包装:800

其它名称:NDB6060LTR

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