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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市华来深电子有限公司

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NGB8206NG产品参数
型号:NGB8206NG
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:SFM
包装说明:LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3
针数:3
制造商包装代码:418B-04
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.67
Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):20 A
集电极-发射极最大电压:390 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最大降落时间(tf):14000 ns
门极发射器阈值电压最大值:2.1 V
门极-发射极最大电压:15 V
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):150 W
认证状态:Not Qualified
最大上升时间(tr):8000 ns
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:AUTOMOTIVE IGNITION
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):18500 ns
标称接通时间 (ton):6500 ns
Base Number Matches:1
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