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  • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 集好芯城

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  • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • 宗天技术 原装现货/假一赔十
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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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  • 深圳市凯睿晟科技有限公司

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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市中杰盛科技有限公司

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  • 【原装优势★★★绝对有货】
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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 封装D2PAK3LEAD 
  • 批号2020+ 
  • 全新原装进口现货特价热卖,长期供货
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 封装TO263 
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  • 羿芯诚只做原装 原厂渠道 价格优势
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  • 深圳市楚胜电子有限公司

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  • 房间现货,价格优势。
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • 深圳市腾浩伟业电子有限公司

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  • 原装现货,价格低于市场
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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产品型号NGB8206NT4的概述

芯片NGB8206NT4概述 NGB8206NT4是一种新型的功率MOSFET(场效应晶体管),广泛应用于电源管理、直流-直流转换器、开关电源等领域。该型号MOSFET主要设计用于高效能、高速开关的应用,能够在相对较低的电压下实现高电流的驱动,实现良好的热管理和能效。 与传统的功率MOSFET相比...
配单直通车
NGB8206NT4产品参数
型号:NGB8206NT4
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:SFM
包装说明:CASE 418B-04, D2PAK-3
针数:3
制造商包装代码:418B-04
Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.24
其他特性:VOLTAGE CLAMPING
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):20 A
集电极-发射极最大电压:390 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最大降落时间(tf):14000 ns
门极发射器阈值电压最大值:2.3 V
门极-发射极最大电压:15 V
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):150 W
认证状态:Not Qualified
最大上升时间(tr):8000 ns
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:AUTOMOTIVE IGNITION
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):18500 ns
标称接通时间 (ton):6500 ns
Base Number Matches:1
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