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NGTB15N120FL2WG产品参数
型号:NGTB15N120FL2WG
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅:不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:,
制造商包装代码:340AL
Reach Compliance Code:compliant
Factory Lead Time:32 weeks
风险等级:2.07
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):30 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
门极发射器阈值电压最大值:6.5 V
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-609代码:e3
最高工作温度:175 °C
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):294 W
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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