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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市亿智腾科技有限公司

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  • 厂家ON SEMICONDUCTOR 
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 厂家ON Semiconductor 
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  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • 厂家ON 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家ON-安森美 
  • 封装TO-220-3 
  • 批号▉▉:2年内 
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  • 深圳市腾浩伟业电子有限公司

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  • 封装原厂原装 
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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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NGTB15N60EG产品参数
型号:NGTB15N60EG
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:End Of Life
针数:3
制造商包装代码:221A-09
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.76
最大集电极电流 (IC):30 A
集电极-发射极最大电压:600 V
门极发射器阈值电压最大值:6.5 V
门极-发射极最大电压:20 V
JESD-609代码:e3
最高工作温度:150 °C
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):117 W
子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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