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NTB25P06产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 27.5A(Ta) 120W(Tj) D2PAK

制造商:ON Semiconductor

系列:-

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):27.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):82 毫欧 @ 25A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):50nC @ 10V

Vgs(最大值):±15V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1680pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):120W(Tj)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:D2PAK

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

标准包装:50

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