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NTD4302产品参数
型号:NTD4302
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅:不含铅
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4
制造商包装代码:369AA
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.1
Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas):722 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):8.4 A
最大漏极电流 (ID):8.4 A
最大漏源导通电阻:0.01 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):235
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.04 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):28 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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