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  • 新到现货、一手货源、当天发货、bom配单
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  • 深圳市隆亿诚科技有限公司

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  • 支持检测.现货价优!
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  • 深圳市英科美电子有限公司

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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 羿芯诚只做原装,原厂渠道,价格优势可谈!
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  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

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  • 一级代理正品采购
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 假一罚十,原装进口正品现货供应,价格优势。
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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  • 数量50000 
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  • 公司原装现货可含税!假一罚十!
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  • 集好芯城

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  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOT-23 
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  • 深圳市欧昇科技有限公司

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  • 厂家ON 
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  • 原装正品可深港两地交货可含税交易
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 全新原装正品现货热卖
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 数量67048 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOT-23 
  • 批号23+ 
  • 原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 数量85000 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装2020+ 
  • 批号23+ 
  • 真实库存全新原装正品!代理此型号
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量12500 
  • 厂家ON 
  • 封装SOT-23 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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  • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
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  • 深圳市湘达电子有限公司

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  • 数量6600 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOT23 
  • 批号20+ 
  • 原盒原装原标签,市场最低价。
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  • 0755-83229772 QQ:215672808
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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 数量100000 
  • 厂家On Semiconductor 
  • 封装N/A 
  • 批号2024+ 
  • 原装正品,假一罚十
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    QQ:1344056792QQ:1344056792 复制
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 数量83500 
  • 厂家ON-安森美 
  • 封装SOT-23-3 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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  • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 数量36218 
  • 厂家ON-安森美 
  • 封装SOT-23-3 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥1.1元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
  • QQ:43871025QQ:43871025 复制
  • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 数量98500 
  • 厂家OnSemicon 
  • 封装原厂封装 
  • 批号23+ 
  • 真实库存全新原装正品!代理此型号
  • QQ:2881495751QQ:2881495751 复制
  • 0755-88917743 QQ:2881495751
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • NTR5103NT1G
  • 数量865000 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装2020+ 
  • 批号最新批号 
  • 一级代理,原装特价现货!
  • QQ:2881475757QQ:2881475757 复制
  • 0755-83225692 QQ:2881475757
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 数量660000 
  • 厂家onsemi(安森美) 
  • 封装SOT-23 
  • 批号23+ 
  • 支持实单/只做原装
  • QQ:3008961398QQ:3008961398 复制
  • 0755-21006672 QQ:3008961398
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  • 深圳市一呈科技有限公司

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  • NTR5103NT1G
  • 数量5280 
  • 厂家ON(安森美) 
  • 封装SOT-23(SOT-23-3) 
  • 批号23+ 
  • ▉原装正品▉力挺实单可含税可拆样
  • QQ:3003797048QQ:3003797048 复制
    QQ:3003797050QQ:3003797050 复制
  • 0755-82779553 QQ:3003797048QQ:3003797050
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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 数量8239 
  • 厂家ON(安森美) 
  • 封装N/A 
  • 批号22+ 
  • 只做原装 实单来谈★★☆
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  • 0755-82524192 QQ:2881664480
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  • 深圳市英德州科技有限公司

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  • NTR5103NT1G
  • 数量9800 
  • 厂家ON(安森美) 
  • 封装SOT-23(SOT-23-3) 
  • 批号2年内 
  • 全新原装 货源稳定 长期供应 提供配单
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  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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  • 数量13517 
  • 厂家ON 
  • 封装SOD-23 
  • 批号▊ NEW ▊ 
  • ★◆█◣【100%原装正品】★价格最低,不要错过★!量大可定!
  • QQ:1551106297QQ:1551106297 复制
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  • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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  • NTR5103NT1G
  • 数量82000 
  • 厂家Onsemi(安森美) 
  • 封装SOT-23 
  • 批号2023+ 
  • 原装原包现货支持实单
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 数量8500 
  • 厂家原厂品牌 
  • 封装原厂封装 
  • 批号新年份 
  • 羿芯诚只做原装长期供,支持实单
  • QQ:2880123150QQ:2880123150 复制
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  • 深圳市宗天技术开发有限公司

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  • NTR5103NT1G
  • 数量12800 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOT-23 
  • 批号21+ 
  • 宗天技术 原装现货/假一赔十
  • QQ:444961496QQ:444961496 复制
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  • 深圳市和谐世家电子有限公司

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  • 数量71708 
  • 厂家ON Semiconductor 
  • 封装SOT-23-3(TO-236) 
  • 批号最新批号 
  • 全新原装假一贴十!
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  • 深圳市龙腾新业科技有限公司

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  • NTR5103NT1G
  • 数量14310 
  • 厂家ON/安森美 
  • 封装SOT-23 
  • 批号24+ 
  • 原装原厂 现货现卖
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  • 深圳市鹏睿康科技有限公司

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  • NTR5103NT1G
  • 数量144000 
  • 厂家ON 
  • 封装只做原装 
  • 批号23+ 
  • 原装现货假一赔万,原包原标,支持实单
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产品型号NTR5103NT1G的概述

芯片NTR5103NT1G的概述 NTR5103NT1G是一款高性能的N沟道MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)晶体管,广泛应用于电源管理和各种数字电路中。作为一款较新的集成电路组件,NTR5103NT1G设计用于处理较高电流和电压,使其成为诸如电源开关、驱动电机以及高效DC-DC转换等应用的重要选择。 MOSFET因其导通电阻低和驱动电流小而在电子电路设计中受到青睐。NTR5103NT1G尤其适合在开关模式电源(SMPS)中使用,可实现高效的功率转换,减少损耗,从而提高整体系统效率。 芯片NTR5103NT1G的详细参数 NTR5103NT1G的主要参数概述如下: - 类型:N沟道MOSFET - 最大漏极源极电压(Vds):30V - 最大漏极电流(Id):30A - 漏极源极通态电阻(Rds(on)):...

产品型号NTR5103NT1G的Datasheet PDF文件预览

NTR5103N  
Small Signal MOSFET  
60 V, 310 mA, Single, NChannel, SOT23  
Features  
Low R  
DS(on)  
www.onsemi.com  
Small Footprint Surface Mount Package  
Trench Technology  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(Note 1)  
(BR)DSS  
DS(on)  
These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
60 V  
3.0 W @ 4.5 V  
2.5 W @ 10 V  
310 mA  
Applications  
Low Side Load Switch  
Level Shift Circuits  
Simplified Schematic  
DCDC Converter  
Portable Applications i.e. DSC, PDA, Cell Phone, etc.  
NChannel  
3
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Rating  
DraintoSource Voltage  
GatetoSource Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
1
V
DSS  
V
GS  
30  
V
Drain Current (Note 1)  
Steady State  
I
D
mA  
2
T = 25°C  
A
260  
190  
A
(Top View)  
T = 85°C  
t < 5 s  
T = 25°C  
A
310  
220  
A
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
Drain  
T = 85°C  
Power Dissipation (Note 1)  
Steady State  
t < 5 s  
P
D
mW  
3
300  
420  
3
1
Pulsed Drain Current (t = 10 ms)  
I
1.2  
A
p
DM  
TJ4 MG  
2
Operating Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
55 to  
°C  
G
J
STG  
SOT23  
CASE 318  
STYLE 21  
+150  
1
2
Source Current (Body Diode)  
I
S
300  
260  
mA  
Gate  
Source  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8from case for 10 s)  
T
L
°C  
TJ4  
M
= Device Code  
= Date Code  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
G
= PbFree Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
ORDERING INFORMATION  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
JunctiontoAmbient Steady State  
R
417  
°C/W  
Device  
NTR5103NT1G  
Package  
Shipping  
q
JA  
(Note 1)  
SOT23  
(PbFree)  
3000 / Tape & Reel  
JunctiontoAmbient t 5 s (Note 1)  
R
300  
q
JA  
1. Surfacemounted on FR4 board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
sq [1 oz] including traces)  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2014  
1
Publication Order Number:  
October, 2016 Rev. 1  
NTR5103N/D  
 
NTR5103N  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise specified)  
J
Parameter  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
DraintoSource Breakdown Voltage  
V
V
GS  
= 0 V, I = 250 mA  
60  
V
(BR)DSS  
D
DraintoSource Breakdown Voltage  
Temperature Coefficient  
V
/T  
J
75  
mV/°C  
(BR)DSS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
I
T = 25°C  
1
mA  
DSS  
J
V
V
= 0 V,  
= 60 V  
GS  
T = 125°C  
J
500  
200  
DS  
GatetoSource Leakage Current  
I
V
DS  
= 0 V, V  
=
30 V  
nA  
GSS  
GS  
ON CHARACTERISTICS (Note 2)  
Gate Threshold Voltage  
V
V
GS  
= V , I = 250 mA  
1.9  
2.6  
V
GS(TH)  
DS  
D
Negative Threshold Temperature  
Coefficient  
V
/T  
4.4  
mV/°C  
GS(TH)  
J
DraintoSource On Resistance  
R
V
= 10 V, I = 240 mA  
1.0  
1.4  
530  
2.5  
3.0  
W
DS(on)  
GS  
D
V
= 4.5 V, I = 50 mA  
D
GS  
Forward Transconductance  
CHARGES AND CAPACITANCES  
Input Capacitance  
g
FS  
V
= 5 V, I = 200 mA  
mS  
pF  
DS  
D
C
26.7  
4.6  
40  
ISS  
V
= 0 V, f = 1 MHz,  
GS  
Output Capacitance  
C
C
OSS  
RSS  
V
DS  
= 25 V  
Reverse Transfer Capacitance  
Total Gate Charge  
2.9  
Q
0.81  
0.31  
0.48  
0.08  
nC  
ns  
V
G(TOT)  
Threshold Gate Charge  
GatetoSource Charge  
GatetoDrain Charge  
Q
G(TH)  
V
= 5 V, V = 10 V;  
DS  
D
GS  
I
= 240 mA  
Q
GS  
GD  
Q
SWITCHING CHARACTERISTICS, V = V (Note 3)  
GS  
TurnOn Delay Time  
Rise Time  
t
1.7  
1.2  
4.8  
3.6  
d(ON)  
t
r
V
GS  
= 10 V, V = 30 V,  
DD  
= 200 mA, R = 10 W  
G
I
D
TurnOff Delay Time  
Fall Time  
t
d(OFF)  
t
f
DRAINSOURCE DIODE CHARACTERISTICS  
Forward Diode Voltage  
V
T = 25°C  
J
0.79  
0.7  
1.2  
SD  
V
= 0 V,  
GS  
I
= 200 mA  
T = 85°C  
J
S
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
2. Pulse Test: pulse width 300 ms, duty cycle 2%  
3. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures  
www.onsemi.com  
2
 
NTR5103N  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
1.2  
2.0  
1.6  
1.2  
0.8  
5.0 V  
V
= 10 V  
GS  
4.5 V  
9.0 V  
8.0 V  
7.0 V  
6.0 V  
4.0 V  
0.8  
3.5 V  
T = 25°C  
J
0.4  
0
3.0 V  
0.4  
0
2.5 V  
2.0 V  
T = 125°C  
T = 55°C  
J
J
0
2
4
6
0
2
4
6
V
DS  
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)  
V
GS  
, GATETOSOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 1. OnRegion Characteristics  
Figure 2. Transfer Characteristics  
2.4  
2.0  
1.6  
1.2  
0.8  
2.4  
2.0  
1.6  
1.2  
0.8  
V
GS  
= 4.5 V  
V
GS  
= 10 V  
T = 125°C  
J
T = 85°C  
J
T = 125°C  
J
T = 85°C  
J
T = 25°C  
J
T = 25°C  
J
T = 55°C  
J
T = 55°C  
J
0.4  
0
0.4  
0
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
I , DRAIN CURRENT (A)  
D
I , DRAIN CURRENT (A)  
D
Figure 3. OnResistance vs. Drain Current and  
Figure 4. OnResistance vs. Drain Current and  
Temperature  
Temperature  
1.6  
1.2  
2.2  
1.8  
1.4  
I
D
= 0.2 A  
I
= 250 mA  
D
V
GS  
= 4.5 V  
I
D
= 75 mA  
V
GS  
= 10 V  
0.8  
0.4  
1.0  
0.6  
2
4
6
8
10  
50 25  
0
25  
50  
75  
100  
125 150  
V
GS  
, GATETOSOURCE VOLTAGE (V)  
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)  
J
Figure 5. OnResistance vs. GatetoSource  
Figure 6. OnResistance Variation with  
Voltage  
Temperature  
www.onsemi.com  
3
NTR5103N  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
40  
30  
20  
5
T = 25°C  
GS  
T = 25°C  
D
J
V
J
= 0 V  
C
I = 0.25 A  
iss  
4
3
2
C
oss  
10  
0
1
0
C
rss  
0
4
8
12  
16  
20  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1
GATETOSOURCE OR DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)  
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)  
Figure 7. Capacitance Variation  
Figure 8. GatetoSource and  
DraintoSource Voltage vs. Total Charge  
10  
V
GS  
= 0 V  
1
T = 85°C  
J
T = 25°C  
J
0.1  
0.01  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
V
SD  
, SOURCETODRAIN VOLTAGE (V)  
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current  
www.onsemi.com  
4
NTR5103N  
PACKAGE DIMENSIONS  
SOT23 (TO236)  
CASE 31808  
ISSUE AR  
NOTES:  
D
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME Y14.5M, 1994.  
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.  
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD FINISH.  
MINIMUM LEAD THICKNESS IS THE MINIMUM THICKNESS OF  
THE BASE MATERIAL.  
0.25  
3
4. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD FLASH,  
PROTRUSIONS, OR GATE BURRS.  
T
H
E
E
1
2
MILLIMETERS  
INCHES  
NOM  
0.039  
0.002  
0.017  
0.006  
0.114  
0.051  
0.075  
0.017  
0.021  
0.094  
−−−  
DIM  
A
A1  
b
c
D
E
e
L
MIN  
0.89  
0.01  
0.37  
0.08  
2.80  
1.20  
1.78  
0.30  
0.35  
2.10  
0_  
NOM  
1.00  
0.06  
0.44  
0.14  
2.90  
1.30  
1.90  
0.43  
0.54  
2.40  
−−−  
MAX  
MIN  
MAX  
0.044  
0.004  
0.020  
0.008  
0.120  
0.055  
0.080  
0.022  
0.027  
0.104  
10 _  
L
1.11  
0.10  
0.50  
0.20  
3.04  
1.40  
2.04  
0.55  
0.69  
2.64  
10 _  
0.035  
0.000  
0.015  
0.003  
0.110  
0.047  
0.070  
0.012  
0.014  
0.083  
0 _  
3X  
b
L1  
VIEW C  
e
TOP VIEW  
L1  
A
H
E
T
c
A1  
SEE VIEW C  
STYLE 21:  
PIN 1. GATE  
SIDE VIEW  
END VIEW  
2. SOURCE  
3. DRAIN  
RECOMMENDED  
SOLDERING FOOTPRINT*  
3X  
0.90  
2.90  
3X  
0.95  
PITCH  
0.80  
DIMENSIONS: MILLIMETERS  
*For additional information on our PbFree strategy and soldering  
details, please download the ON Semiconductor Soldering and  
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.  
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specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer  
application by customer’s technical experts. ON Semiconductor does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. ON Semiconductor products are not  
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NTR5103N/D  
配单直通车
NTR511020.1%LF产品参数
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生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84
构造:All-Welded
引线直径:1 mm
端子数量:2
最高工作温度:350 °C
最低工作温度:-55 °C
封装直径:7.9 mm
封装长度:22.2 mm
封装形式:Axial
包装方法:TR
额定功率耗散 (P):6.5 W
电阻:11000 Ω
电阻器类型:FIXED RESISTOR
系列:NT(WIREWOUND)
子类别:Fixed Resistors
技术:WIRE WOUND
温度系数:-20,20 ppm/ °C
容差:0.1%
工作电压:540.8 V
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