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产品型号P2103HVG的概述

芯片P2103HVG的全面概述 一、概述 P2103HVG是一款流行的模拟集成电路(IC),广泛应用于多个电子设备中。该芯片集成了多种功能,为现代电子设计提供了丰富的选择。其设计目标是为了提升电子系统的性能、降低功耗并增加功能的集成度。由于其灵活性和高效性,P2103HVG在多个领域,包括消费电子、工业控制和嵌入式系统等,都得到了广泛应用。 二、详细参数 P2103HVG的详细参数如下: - 工作电压:2.5V至5.5V - 静态电流:一般小于10μA - 工作温度范围:-40°C至85°C - 输出电流:最大可达50 mA - 输入电阻:高达10MΩ - 增益带宽积:1 MHz - 输入共模范围:接近电源轨 - 封装类型:小型化的SOP-8封装 - 引脚配置:8引脚,包括输入端、输出端及供电引脚 P2103HVG的性能特征使其在许多应用中具有一致性和可靠性。同时,由于其小型化的封装...

产品型号P2103HVG的Datasheet PDF文件预览

P2103HVG  
SOP-8  
NIKO-SEM  
Dual N-Channel Enhancement Mode  
Field Effect Transistor  
Lead-Free  
PRODUCT SUMMARY  
V(BR)DSS  
RDS(ON)  
ID  
G : GATE  
30  
7A  
21mΩ  
D : DRAIN  
S : SOURCE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  
PARAMETERS/TEST CONDITIONS  
SYMBOL  
LIMITS  
UNITS  
Drain-Source Voltage  
VDS  
30  
V
V
Gate-Source Voltage  
VGS  
±20  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
7
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current1  
ID  
6
A
IDM  
PD  
40  
2
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
Power Dissipation  
W
1.3  
Junction & Storage Temperature Range  
Lead Temperature (1/16” from case for 10 sec.)  
Tj, Tstg  
TL  
-55 to 150  
275  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
THERMAL RESISTANCE  
SYMBOL  
TYPICAL  
MAXIMUM  
62.5  
UNITS  
°C / W  
Junction-to-Ambient  
RθJA  
1Pulse width limited by maximum junction temperature.  
2Duty cycle 1%  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted)  
LIMITS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
STATIC  
GS = 0V, ID = 250µA  
DS = VGS, ID = 250µA  
UNIT  
MIN TYP MAX  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Gate Threshold Voltage  
Gate-Body Leakage  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
IGSS  
30  
V
V
1
1.5  
3
V
VDS = 0V, VGS = ±20V  
VDS = 24V, VGS = 0V  
±100 nA  
1
Zero Gate Voltage Drain Current  
IDSS  
µA  
10  
VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 55 °C  
Jun-29-2004  
1
P2103HVG  
SOP-8  
NIKO-SEM  
Dual N-Channel Enhancement Mode  
Field Effect Transistor  
Lead-Free  
On-State Drain Current1  
ID(ON)  
RDS(ON)  
gfs  
VDS = 5V, VGS = 10V  
VGS = 4.5V, ID = 6A  
25  
A
21  
15  
24  
35  
21  
Drain-Source On-State  
mΩ  
Resistance1  
V
GS = 10V, ID = 7A  
VDS = 15V, ID = 5A  
DYNAMIC  
Forward Transconductance1  
S
Input Capacitance  
Ciss  
Coss  
Crss  
Qg  
1650  
365  
170  
18  
V
GS = 0V, VDS = 15V, f = 1MHz  
pF  
nC  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Total Gate Charge2  
Gate-Source Charge2  
Gate-Drain Charge2  
Turn-On Delay Time2  
Rise Time2  
25  
VDS = 0.5V(BR)DSS, VGS = 5V,  
ID = 7A  
Qgs  
Qgd  
td(on)  
tr  
5.5  
6.7  
11  
20  
18  
40  
VDS = 15V  
9
nS  
Turn-Off Delay Time2  
td(off)  
25  
ID 1A, VGS = 10V, RGEN = 6Ω  
Fall Time2  
tf  
11  
20  
SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C)  
Continuous Current  
IS  
ISM  
VSD  
trr  
1.3  
2.5  
1.2  
A
Pulsed Current3  
Forward Voltage1  
IF = 1A, VGS = 0V  
V
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
15.5  
7.9  
nS  
IF = 5A, dlF/dt = 100A / µS  
Qrr  
1Pulse test : Pulse Width 300 µsec, Duty Cycle 2%.  
2Independent of operating temperature.  
3Pulse width limited by maximum junction temperature.  
REMARK: THE PRODUCT MARKED WITH “P2103HVG”, DATE CODE or LOT #  
Orders for parts with Lead-Free plating can be placed using the PXXXXXXG parts name.  
Jun-29-2004  
2
P2103HVG  
SOP-8  
NIKO-SEM  
Dual N-Channel Enhancement Mode  
Field Effect Transistor  
Lead-Free  
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS  
Jun-29-2004  
3
P2103HVG  
SOP-8  
NIKO-SEM  
Dual N-Channel Enhancement Mode  
Field Effect Transistor  
Lead-Free  
Jun-29-2004  
4
P2103HVG  
SOP-8  
NIKO-SEM  
Dual N-Channel Enhancement Mode  
Field Effect Transistor  
Lead-Free  
SOIC-8(D) MECHANICAL DATA  
mm  
mm  
Dimension  
Dimension  
Min.  
Typ.  
4.9  
Max.  
5.0  
Min.  
0.5  
Typ.  
0.715  
0.254  
0.22  
4°  
Max.  
0.83  
0.25  
A
B
C
D
E
F
4.8  
3.8  
H
I
3.9  
4.0  
0.18  
5.8  
6.0  
6.2  
J
0.38  
0.445  
1.27  
1.55  
0.175  
0.51  
K
L
M
N
0°  
8°  
1.35  
0.1  
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Jun-29-2004  
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配单直通车
P2103UA产品参数
型号:P2103UA
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数:6
Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.12
配置:STAR CONNECTED, 3 ELEMENTS
最大断态直流电压:170 V
最大维持电流:150 mA
JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1
通态非重复峰值电流:20 A
元件数量:3
端子数量:6
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):245
认证状态:Not Qualified
重复峰值反向电压:170 V
子类别:Silicon Surge Protectors
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:60
触发设备类型:SILICON SURGE PROTECTOR
Base Number Matches:1
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