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  • 深圳市科庆电子有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • PC123图
  • 深圳市欧昇科技有限公司

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  • 数量9000 
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  • 封装DIP4 
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  • SY格现货有接受价格就出
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 数量23439 
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  • 绝对原装正品全新进口深圳现货
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  • 0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:364510898QQ:515102657
  • PC123图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • PC123
  • 数量31547 
  • 厂家SHARP 
  • 封装DIP-4 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品全新深圳进口现货,优质渠道供应商!
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  • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
  • PC123图
  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • PC123
  • 数量3500 
  • 厂家SHARP 
  • 封装SOP-4P 
  • 批号23+ 
  • 全新原装现货特价销售!
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  • 首天国际(深圳)集团有限公司

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  • 数量10000 
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  • 批号16+ 
  • 百分百原装正品,现货库存
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  • 深圳市华科泰电子商行

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  • PC123
  • 数量9868 
  • 厂家夏普 
  • 封装DIP4 
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  • 绝对原装现货特价
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  • PC123图
  • 深圳市赛尔通科技有限公司

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  • 数量12850 
  • 厂家N/A 
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  • 绝对进口原装现货,市场价格最低!!
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  • PC123图
  • 深圳市浩兴林电子有限公司

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  • PC123
  • 数量5000 
  • 厂家UNITRODE 
  • 封装SMD 
  • 批号2017+ 
  • 优势库存现货,部分无铅
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  • 0755-82532799 QQ:382716594QQ:351622092
  • PC123L2YUP0F图
  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • PC123L2YUP0F
  • 数量7990 
  • 厂家SHARP 
  • 封装SOP4 
  • 批号22+ 
  • ★只做原装★正品现货★原盒原标★
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产品型号PC123的概述

芯片PC123的概述 PC123是一款广泛使用的光电耦合器,主要用于电气隔离、信号传输和干扰抑制。它是由多家半导体制造公司生产的,其中最著名的生产厂家包括安森美半导体(ON Semiconductor)、德州仪器(Texas Instruments)和日立(Hitachi)等。PC123芯片采用高效能红外光发射二极管和光敏晶体管,能够在不同电压和频率范围内稳定工作,适用于多种工业自动化和电子设备的设计需求。 芯片PC123的详细参数 PC123光电耦合器的主要技术参数如下: - 输入电流(IF):通常在5mA至20mA之间。 - 输出电流(IC):最大的集电极电流可达到50mA。 - 工作电压(VCE):集电极与发射极之间的最大工作电压为30V。 - 传输延迟时间(TD):一般在5μs左右。 - 共模抑制比(CMR):约为1000V/μs,能够有效抵抗外部干扰。 - 工作温度范围:通常...

产品型号PC123的Datasheet PDF文件预览

PC123/PC123F  
European Safety Standard  
Approved Type Long Creepage  
Distance Photocoupler  
PC123/PC123F  
(
)
DIN-VDE0884 approved type PC123Y/PC123FY is also available as an option.  
( )  
Unit : mm  
Features  
Outline Dimensions  
1. Conform to European Safety Standard  
2. Internal isolation distance : 0.4mm or more  
PC123  
Internal connection diagram  
1
2
3
4
Anode  
1
2
4
3
3. High collector-emitter voltage  
4. Long creepage distance type  
Anode mark  
(
)
VCEO : 70V  
Cathode  
Emitter  
Collector  
4
3
1
5. Recognized by UL (No. E64380)  
(
)
Approved by VDE DIN-VDE83601  
PC123  
6.5± 0.3  
7.62± 0.3  
Approved by BSI  
2
(
)
BS415 No. 7087, BS7002 No. 7409  
4.58± 0.3  
(
)
Approved by SEMCO No. 9216212  
(
)
Approved by DEMCO No. 108954  
(
)
Approved by NEMKO No. 199438181  
Epoxy resin  
(
)
Approved by EI No. 155030  
0.5± 0.1  
0.26± 0.1  
Recognized by CSA (No. CA95323)  
Creepage distance  
6.4mm or more  
8mm or more  
Space distance  
6.4mm or more  
8mm or more  
PC123F  
PC123  
Internal connection diagram  
PC123F  
1
2
3
4
Anode  
1
2
4
3
Anode mark  
1
Cathode  
Emitter  
Collector  
Applications  
1. Power supplies  
2. OA equipment  
4
3
PC123  
2
6.5± 0.3  
(
)
Ta= 25˚C  
Absolute Maximum Ratings  
4.58± 0.3  
7.62± 0.3  
Parameter  
Symbol  
IF  
Ratings  
Unit  
mA  
A
Forward current  
*1Peak forward current  
50  
IFM  
VR  
1
6
Input  
Epoxy resin  
Reverse voltage  
V
Power dissipation  
P
70  
mW  
V
0.26± 0.1  
10.16± 0.5  
0.5± 0.1  
Collector-emitter voltage  
Emitter-collector voltage  
Collector current  
V CEO  
V ECO  
IC  
70  
6
V
Output  
50  
mA  
mW  
mW  
Collector power dissipation  
Total power dissipation  
*2 Isolation voltage  
Operating temperature  
Storage temperature  
*3 Soldering temperature  
PC  
150  
200  
5
P tot  
V iso  
T opr  
T stg  
T sol  
kV rms  
˚C  
-
-
30 to + 100  
55 to + 125  
260  
˚C  
˚C  
*1 Pulse width<= 100 µ s, Duty ratio : 0.001  
*2 AC for 1 minute, 40 to 60% RH  
*3 For 10 seconds  
In the absence of confirmation by device specification sheets, SHARP takes no responsibility for any defects that occur in equipment using any of SHARP's devices, shown in catalogs,  
data books, etc. Contact SHARP in order to obtain the latest version of the device specification sheets before using any SHARP's device. ”  
PC123/PC123F  
(
)
Ta= 25˚C  
Electro-optical Characteristics  
Parameter  
Symbol  
VF  
Conditions  
IF = 20mA  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
1.4  
10  
Unit  
V
Forward voltage  
-
1.2  
-
Input  
Reverse current  
IR  
VR = 4V  
-
µ A  
pF  
nA  
V
Terminal capacitance  
Ct  
V= 0, f= 1kHz  
-
30  
-
250  
100  
-
Collector dark current  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-collector breakdown voltage  
Collector current  
ICEO  
BVCEO  
BVECO  
IC  
VCE = 50V, I F = 0  
IC = 0.1mA, I F = 0  
IE = 10 µA, IF = 0  
IF = 5mA, VCE = 5V  
IF = 20mA, I C = 1mA  
DC500V, 40 to 60%RH  
V= 0, f= 1MHz  
-
Output  
70  
-
6
-
-
V
2.5  
-
20  
mA  
V
Collector-emitter saturation voltage  
Isolation resistance  
VCE  
(
)
-
5 x 1010  
-
0.1  
1011  
0.6  
0.2  
-
sat  
RISO  
Cf  
Transfer  
characte-  
risitics  
Floating capacitance  
1.0  
pF  
VCE = 5V, I C = 2mA  
RL = 100, - 3dB  
VCE = 2V, I C = 2mA  
RL = 100Ω  
Cut-off frequency  
fc  
-
80  
-
kHz  
Rise time  
Response time  
tr  
tf  
-
-
4
3
18  
18  
µ s  
µ s  
Fall time  
Fig. 1 Forward Current vs.  
Fig. 2 Diode Power Dissipation vs.  
Ambient Temperature  
Ambient Temperature  
60  
100  
50  
40  
30  
20  
80  
70  
60  
40  
25  
20  
10  
0
0
- 30  
0
25  
50  
75  
100  
125  
- 30  
0
50  
Ambient temperature T a ˚C  
100  
(
)
(
)
Ambient temperature T a ˚C  
PC123/PC123F  
Fig. 3 Collector Power Dissipation vs.  
Fig. 4 Power Dissipation vs.  
Ambient Temperature  
Ambient Temperature  
200  
250  
200  
150  
100  
150  
100  
50  
50  
0
0
- 30  
- 30  
0
25  
50  
75  
100  
125  
0
25  
50  
75  
100  
125  
(
)
Ambient temperature T a ˚C  
(
)
Ambient temperature T a ˚C  
Fig. 5 Peak Forward Current vs. Duty Ratio  
Fig. 6 Forward Current vs.  
Forward Voltage  
1000  
10000  
Pulse width <=100µs  
500  
5000  
Ta = 25˚C  
+ 25˚C  
2000  
1000  
200  
T a = 75˚C  
100  
- 25˚C  
500  
200  
100  
50  
50˚C  
0˚C  
20  
10  
5
50  
20  
2
1
10  
5
- 3  
- 2  
- 1  
2
2
2
5
5
5
5
10  
10  
10  
1
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
(
)
Forward voltage V F  
V
Duty ratio  
Fig. 7 Current Transfer Ratio vs.  
Fig. 8 Collector Current vs. Collector-emitter  
Voltage  
Forward Current  
300  
VCE = 5V  
T a= 25˚C  
T a = 25˚C  
60  
250  
200  
150  
100  
54  
(
)
PC MAX.  
48  
42  
36  
30  
24  
18  
12  
6
50  
0
0
0
0.1  
1
10  
100  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
(
)
(
)
Forward current I  
mA  
Collector-emitter voltage VCE  
V
F
PC123/PC123F  
Fig. 9 Relative Current Transfer Ratio vs.  
Fig.10 Collector-emitter Saturation Voltage vs.  
Ambient temperature  
Ambient Temperature  
150  
0.16  
IF = 20mA  
IF = 5mA  
VCE = 5V  
I
c = 1mA  
0.14  
0.12  
0.10  
0.08  
0.06  
0.04  
0.02  
0.00  
100  
50  
0
- 30  
0
25  
50  
75  
100  
- 30  
0
20  
40  
60  
(
80  
)
100  
(
)
Ambient temperature T a ˚C  
Ambient temperature T a ˚C  
Fig.11 Collector Dark Current vs.  
Ambient Temperature  
Fig.12 Response Time vs.  
Load Resistance  
1000  
- 5  
10  
VCE= 50V  
5
V
CE = 2V  
IC = 2mA  
T a= 25˚C  
- 6  
5
10  
10  
10  
10  
100  
- 7  
5
tr  
tf  
- 8  
5
10  
td  
- 9  
5
ts  
1
- 10  
5
10  
- 11  
0.1  
0.01  
10  
- 30  
0
20  
40  
60  
80  
100  
0.1  
1
10  
100  
(
)
(
)
Ambient temperature T a ˚C  
Load resistance k  
Fig.13 Frequency Response  
Fig.14 Collector-emitter Saturation Voltage vs.  
Forward Currnt  
5
V
CE = 5V  
T
a= 25˚C  
5.0  
4.5  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0
I
C = 2mA  
I
C = 0.5mA  
1mA  
3mA  
5mA  
7mA  
T
a= 25˚C  
0
- 5  
- 10  
RL = 10k Ω  
100 Ω  
1k Ω  
- 15  
- 20  
0.1  
1
10  
100  
1000  
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20  
(
)
(
)
mA  
Frequency kHz  
Forward current I  
F
Please refer to the chapter “Precautions for Use ”  
配单直通车
PC123产品参数
型号:PC123
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:API TECHNOLOGIES CORP
包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.56
其他特性:SUPER Q
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管电容容差:20%
最小二极管电容比:4.6
标称二极管电容:15 pF
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码:DO-7
JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified
最小质量因数:50
最大重复峰值反向电压:30 V
最大反向电流:0.5 µA
反向测试电压:30 V
子类别:Varactors
表面贴装:NO
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
变容二极管分类:ABRUPT
Base Number Matches:1
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