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PHT308C

THYRISTOR

30A Avg 800 Volts

■回路図ꢀCIRCUIT

■外形寸法図ꢀOUTLINE DRAWING （単位ꢀDimension：mm）

1

2

1

2

3

4

3

■最大定格ꢀMaximum Ratings

耐圧クラスꢀGrade

PHT308C

単位

Unit

項ꢀꢀꢀ目

Parameter

記号

Symbol

くり返しピークオフ電圧

サ

イ

リ

ス

タ

モ

ジ

ュ

ー

ル

VDRM

VDSM

VRRM

VRSM

800

900

800

900

V

Repetitive Peak Off-State Voltage

非くり返しピークオフ電圧

Non Repetitive Peak Off-State Voltage

くり返しピーク逆電圧

Repetitive Peak Reverse Voltage

非くり返しピーク逆電圧

Non Repetitive Peak Reverse Voltage

単位

Unit

項ꢀꢀꢀ目

Parameter

平均整流電流

Average Rectified Output Current

実効オン電流

RMS On-State Current

サージオン電流

Surge On-State Current

電流二乗時間積

I Squared t

臨界オン電流上昇率

Critical Rate of Rise of Turned-On Current

ピークゲート電力損失

Peak Gate Power

平均ゲート電力損失

Average Gate Power

ピークゲート電流

Peak Gate Current

記号

Symbol

条ꢀꢀꢀ件

Conditions

商用波数ꢀ180°通電

Half Sine Wave

定格値

Max. Rated Value

Tc＝（TBD）℃

I0（AV）

IT（RMS）

ITSM

I²t

30

A

47

50Hz正弦半波，１サイクル，非くり返し

Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive

500

A

２～10ms

1250

A²s

A /μs

W

A

V^D=2/3VDRM，ITM= 2・I O，Tj＝125℃

I^G=200mA，diG/dt=0.2A/μs

di/dt

PGM

100

5

P（G AV）

IGM

1

2

ピークゲート電圧

Peak Gate Voltage

ピークゲート逆電圧

Peak Gate Reverse Voltage

動作接合温度範囲

Operating Junction Temperature Range

保存温度範囲

Storage Temperature Range

VGM

10

5

V

VRGM

Tjw

V

－40～＋125

2500

℃

V

T^stg

絶縁耐圧

Isolation Voltage

端子－ベース間，AC１分間

Terminal to Base, AC１min.

Viso

ベース部

サーマルコンパウンド塗布

M4

1.5（1.4）

N・m

Mounting

Greased

締付トルク

Mounting Torque

F

主端子部

M4 1.5（1.4） N・m

Terminal

─ 188 ─

■電気的特性ꢀElectrical Characteristics

特性値（最大）

Maximum Value

最小標準最大

Min. Typ. Max.

項ꢀꢀꢀ目

Parameter

記号

Symbol

条ꢀꢀꢀ件

Conditions

単位

Unit

ピークオフ電流

I^DM

IRM

T^j=125℃，V^DM=VDRM

10

mA

V

Peak Off-State Current

ピーク逆電流

Peak Reverse Current

ピークオン電圧

Peak On-State Voltage

Tj=125℃，VRM=VRRM

Tj=25℃，ITM=90A

VTM

1.50

T^j=－40℃

Tj= 25℃

Tj= 125℃

Tj=－40℃

Tj= 25℃

T^j= 125℃

200

100

50

4

2.5

2

mA

V

トリガゲート電流

IGT

VD=6V，IT=1A

VD=6V，I^T=1A

Gate Current to Trigger

トリガゲート電圧

Gate Voltage to Trigger

VGT

非トリガゲート電圧

VGD

dv/dt

tq

T^j=125℃，VD=2/3VDRM

Tj=125℃，VD=2/3VDRM

0.25

500

100

6

V

V /μs

μs

Gate Non-Trigger Voltage

臨界オフ電圧上昇率

Critical Rate of Rise of Off-State Voltage

ターンオフ時間

Turn-Off Time

ターンオン時間

Turn-On Time

Tj=125℃，ITM=IO，VD=2/3VDRM

dv/dt=20V/μs，VR=100V，－di/dt=20A/μs

tgt

μs

T^j=25℃，VD=2/3VDRM

IG=200mA，diG/dt=0.2A/μs

遅

れ時間

td

2

μs

Delay Time

立上がり時間

Rise Time

tr

4

μs

ラッチング電流

I^L

T^j=25℃

Tj=25℃

100

50

mA

Latching Current

保持電流

Holding Current

IH

熱抵抗

接合部

－ケース間

Rt（h j-c）

Rt（h c-f）

0.9

℃/W

Thermal Resistance

Junction to Case,

接触熱抵抗

Thermal Resistance

ケース－フィン間，サーマルコンパウンド塗布

Case to Fin, Greased

0.3

℃/W

質量…約35g

.

Approximate Weight

─ 189 ─

■定格・特性曲線

サ

イ

リ

ス

タ

モ

ジ

ュ

ー

ル

─ 190 ─

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型号:	PHT308C
生命周期：	Transferred
IHS 制造商：	NIHON INTER ELECTRONICS CORP
零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X3
针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	100 mA
JESD-30 代码：	R-XUFM-X3
元件数量：	1
端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	47 A
断态重复峰值电压：	800 V
重复峰值反向电压：	800 V
表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER
触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

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