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| 型号: | PTZTE256.8B |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | R-PDSO-C2 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 7.94 |
| Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH SURGE WITHSTAND LEVEL |
| 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE |
| 最大动态阻抗： | 6 Ω |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 |
| JESD-609代码： | e1 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 6.8 V |
| 最大反向电流： | 20 µA |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | ZENER |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 最大电压容差： | 6.21% |
| 工作测试电流： | 40 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
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