QS6J11TR产品参数

品牌：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6

详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2A 600mW Surface Mount TSMT6 (SC-95)

制造商：Rohm Semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：105 毫欧 @ 2A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：6.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：770pF @ 6V

功率 - 最大值：600mW

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装：TSMT6（SC-95）

基本零件编号：*J11

标准包装：3,000

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）