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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市凯信扬科技有限公司

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  • 厂家RENESAS/瑞萨 
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  • 厂家瑞萨电子 | Renesas 
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  • 封装TSSOP56 
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  • 深圳市腾浩伟业电子有限公司

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产品型号R1WV3216RSD-7SI的概述

芯片 R1WV3216RSD-7SI 概述 R1WV3216RSD-7SI 是一款高性能的动态随机存取存储器(DRAM)芯片,广泛应用于各种电子设备中,其主要特点在于高速度和高密度。这款芯片通常采用标准的 TTL 逻辑密级和 CMOS 工艺,具备优秀的功耗性能和稳定的数据传输能力。这使得 R1WV...
配单直通车
R1WV3216RSD-7SI产品参数
型号:R1WV3216RSD-7SI
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:RENESAS ELECTRONICS CORP
零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSSOP, TSSOP52,.4,16
针数:52
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.75
最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G52
JESD-609代码:e2
长度:10.79 mm
内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16
湿度敏感等级:2
功能数量:1
端子数量:52
字数:2097152 words
字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:2MX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP52,.4,16
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm
最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.07 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN COPPER
端子形式:GULL WING
端子节距:0.4 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:8.89 mm
Base Number Matches:1
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