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产品型号R6020ANX的概述

芯片R6020ANX的概述 R6020ANX是一种现代集成电路,广泛应用于多种电子设备中。作为一款高性能的芯片,其设计目标是为了提供高效率和可靠性,满足工业和消费电子产品的需求。R6020ANX特别适用于需要高速度、高集成度以及低功耗的场合,使其成为一个备受推崇的选择。 芯片R6020ANX的详...
配单直通车
R6020ANX产品参数
型号:R6020ANX
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended
零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:8.38
其他特性:FAST SWITCHING
雪崩能效等级(Eas):26.7 mJ
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):20 A
最大漏极电流 (ID):20 A
最大漏源导通电阻:0.22 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):80 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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