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R6030ENZC8产品参数和技术文档

R6030ENZC8产品图

R6030ENZC8产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
6.47000
$6.47
10
5.77900
$57.79
100
4.73860
$473.86
500
3.83710
$1,918.55
1,000
3.23610
$3,236.10

R6030ENZC8产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Tc) 120W(Tc) TO-3PF

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):130 毫欧 @ 14.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):85nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2100pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):120W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-3PF

封装/外壳:TO-3P-3 整包

标准包装:360

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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