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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 数量90000 
  • 厂家Rohm Semiconductor 
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  • 批号21+ 
  • 只做原装MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
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  • 深圳市斌腾达科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市艾宇欣科技有限公司

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  • 深圳承鹏兴实业有限公司

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市南方世兴科技有限公司

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R8010ANX产品参数和技术文档

R8010ANX产品图

R8010ANX产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
3.67000
$3.67
10
3.27800
$32.78
100
2.68760
$268.76
500
2.17626
$1,088.13
1,000
1.83540
$1,835.40

R8010ANX产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 800V 10A TO220

详细描述:通孔 N 沟道 800V 10A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:散装

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):800V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):560 毫欧 @ 5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):62nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1750pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):40W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220FM

封装/外壳:TO-220-3 整包

标准包装:500

其它名称:R8010ANXCT R8010ANXCT-ND

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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